RC
吸收电路参数计算
一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联
RC
串联网络，该网络常称为
RC
阻容吸收电路
。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率
dlv/dlt
。它表明晶闸
管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上
升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时
加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作
是由三个
PN
结组成。
在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其
J2
结结面相当于一个电容
C0
。当晶
闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容
C0
，并通过
J3
结，这个电流起了门极触发
电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则
C0
的充电电流越大，就有可
能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许
的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联
RC
阻容
吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感
的
(
变压器漏感或负载电感
)
，所以与电容
C
串联电阻
R
可起阻尼作用，它可以防止
R
、
L
、
C
电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通
过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，
如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC
阻
容吸收网络就是常用的保护方法之一。
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, l; l
2 m8 w
, w# e
+ L4 E
% g
二、整流晶闸管
(
可控硅
)
阻容吸收元件的选择
电容的选择
5 g9 g- D1 Y
5 M4 M
: O+ k
* H# Z
$ J# r
C=(2.5-
5)×10
的负
8
次方×If
If=0.367Id
Id-
直流电流值
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_6 j7
U6 b2
U; ?"
n& z
如果整流侧采用
500A
的晶闸管
(
可控硅
)
可以计算
C=(2.5-
5)×10
的负
8
次方×500=1.25
-2.5mF
3dportal.cn5 s
& B) \
) D/ B
/ g4 M
9 S
选用
2.5mF
，
1kv
的电容器
电阻的选择：
* M
0 t1 S
5 O- l
" B9 S. V2 O
R=((2-
4) ×535)If=2.14
-8.56
选择
10
欧
PR=(1.5×(pfv×2
π
fc)
的平方×10
的负
12
次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=
三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，
RC
的时间常数一般情况下取
1~10
毫秒。
小功率负载通常取
2
毫秒左右，
R=220
欧姆
1W
，
C=0.01
微法
400~630V
。
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坛
$ Q3
s8 O'
r+ H
N1 p
大功率负载通常取
10
毫秒，
R=10
欧姆
10W
，
C=1
微法
630~1000V
。