IGBT（绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)）的内部架构如下所示：
IGBT是个单向的器件，电流只能朝一个方向流动，通常IGBT会并联一个续流二极管
IGBT型号：IKW40N120T2
IKW40N120T2 电路符号
IGBT和MOSFET不同，体现在驱动时候的电流会拖尾 Tail,启动和关闭都会有延时，典型的几个参数如下所示
这些参数的解释是：
Turn-on delay time: 10% of gate voltage to 10% of collector current
"开启延迟时间：门极电压的10%至集电极电流的10%"
Rise time: 10% to 90% of collector current
Turn-off delay time: 90% of gate voltage to 10% of collector voltage
"关断延迟时间：门极电压从90%降至集电极电压的10%"
Fall time: 90% to 10% of collector current.
在使Gate关闭时候，VCE几乎完全到达输入值，ICE才会开始下降，而且下降的过程会比较长
使用IGBT仿真BOOST结果如下所示
IGBT在Gate电压到达15V时候VCE电压慢慢的下降
IGBT在Gate电压到达0V 时候VCE电压慢慢的上升
等到VCE电压上升到峰值以后，ICE在慢慢的下降
IGBT的短路耐受时间Tsc的含义是在VCE正常工作提供比较高的电压时候VGE错误打开，导致VCC对地短路，在Tsc的短路时间内IGBT不会损坏
IGBT导通时候没有RDSON这个概念，导通时候IGBT的功耗由VCE SAT再去×ICE得出导通时候的功耗，通常MOSFET耐压值越高RDSON也就越高,如果电流比较小MOSFET和IGBT相比可能会有优势，如果电流大了则IGBT更有优势
IGBT Char：NGTB15N60S1EG
饱和电压为参数第二行
IGBT可能是不包含Freewheeling diode的，有的包含的Freewheeling diode会给出ta的参数，主要是二极管的反向恢复特性，当二极管的电压从正偏转向反偏时候，二极管上的电流不会马上转向，二极管的电流还会继续朝原先的方向流动，到达一个峰值以后在消失，这个时间以Trr表示，这个电流会有多少由Qrr表示。
二极管的电流下降时间越短，那么他的电流尖峰Irrm就越大，测试电路和仿真波形如下所示。
今天就先聊到这了，拜拜~
参考文档：
onsemi -- reading onsemi IGBT datasheets
NGTB15N60S1EG datasheet
IGBT WIKI -EN
来源公众号：xuyuntong