NTMFS4C08NT1G功率MOSFET30 V，52 A，单N通道，SO-8 FL
特征
•低RDS（on）以最小化传导损耗
•低电容，最大限度地减少驾驶员损失
•优化栅极电荷，最大限度地降低开关损耗
•这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准
合规
应用
•CPU供电
•DC-DC转换器
耐热最大额定值
参数符号值单位
结到壳（漏极）RJC 4.9
°C / W
结点到环境 - 稳态（注4）RJA 49.8
结点到环境 - 稳态（注5）RJA 164.6
结到环境 - （t≤10s）（注4）RJA 21.0
4.表面安装在FR4板上，使用1平方英寸垫，1盎司铜。
5.使用推荐的最小焊盘尺寸在FR4板上进行表面安装。
电气特性（除非另有说明，TJ = 25°C）
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
漏极 - 源极击穿电压V（BR）DSS VGS = 0 V，ID = 250 A 30 V.
漏极 - 源极击穿电压（短暂的）
V（BR）DSSt VGS = 0 V，ID（aval）= 8.4 A，
Tcase = 25°C，ttransient = 100 ns
34 V
漏极 - 源极击穿电压
温度系数
V（BR）DSS /
TJ
13.8 mV /°C
零栅极电压漏极电流IDSS VGS = 0 V，
VDS = 24 V.
TJ = 25℃1.0
一个
TJ = 125°C 10
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V，VGS =±20 V±100 nA
特征（注6）
栅极阈值电压VGS（TH）VGS = VDS，ID = 250 A 1.3 2.1 V.
负阈值温度系数VGS（TH）/ TJ 4.9 mV /°C
漏极 - 源极导通电阻RDS（on）VGS = 10 V ID = 18 A 4.6 5.8
M＆
VGS = 4.5 V ID = 30 A 6.8 8.5
正向跨导gFS VDS = 1.5 V，ID = 15 A 42 S.
栅极电阻RG TA = 25°C 0.3 1.0 2.0
收费和电容
输入电容CISS
VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 15 V. 1113 1670
输出电容COSS 702 pF
反向传输电容CRSS 39
电容比CRSS / CISS VGS = 0 V，VDS = 15 V，f = 1 MHz 0.035
总栅极电荷QG（TOT）
VGS = 4.5 V，VDS = 15 V; ID = 30 A. 8.4 NC
门限电荷QG（TH）1.8
门到源充电QGS 3.5
栅极 - 漏极电荷QGD 3.3
栅极高压VGP 3.4 V.
总栅极电荷QG（TOT）VGS = 10 V，VDS = 15 V; ID = 30 A 18.2 nC
开关特性（注7）
开启延迟时间td（ON）
VGS = 4.5 V，VDS = 15 V，
ID = 15 A，RG = 3.0 9 NS
上升时间tr 33
关闭延迟时间td（OFF）15
下降时间tf 4.0
电气特性（除非另有说明，TJ = 25°C）
参数符号测试条件最小值典型值最大值
开关特性（注7）
转动鈭鈭n延迟时间td（ON）
VGS = 10 V，VDS = 15 V，
ID = 15 A，RG = 3.0 7 NS
上升时间tr 26
转动鈭鈭ff延迟时间td（OFF）19
下降时间tf 3.0
排水鈭鈭OODEDDIODE CHARACTERISTICS
正向二极管电压VSD VGS = 0 V，
IS = 10 A.
TJ = 25°C 0.79 1.1
V
TJ = 125℃0.66
反向恢复时间tRR
VGS = 0 V，dIS / dt = 100 A / s，
IS = 30 A.
28.3
充电时间ta 14.5 ns
放电时间tb 13.8
反向恢复电荷QRR 15.3 nC
