Nor Flash具有其独特的数据保护机制，它可以像内存一样读，但是它不可以像内存一样写，这就会导致我们在向Nor Flash中写数据时会稍显麻烦。这篇文章介绍Nor Flash 的一般操作，适合大多数的Nor Flash芯片，笔者使用的芯片是MX29LV160D T/B，容量为2MB。
拿到一款Nor Flash芯片，我们首先简明扼要的浏览数据手册上芯片的特性（FEATURES），做到一个大概的了解，接着看相关操作的命令介绍及文字说明，一般来说，芯片手册上的 NOTE内容很重要。至于相关操作的时序，如果你使用的微控制器内部集成有内存控制器，那么你在操作之前，必须严格遵守相关时序来配置内存控制器的寄存器；如果你使用的微控制器内部没有集成内存控制器，那么相关操作中，严格按照时序来编程。
图1 相关操作指令
从图1中可以看出，像Nor Flash芯片发送数据或者是读取数据有两种方式，一种是2字节方式（发送的数据和读取的数据都是2字节，short），一种是1字节方式（发送的数据和读取的数据都是1字节,char）。这个特点在编程的时候一定注意，即数据的类型不要搞错了。
举个例子，进入CFI（COMMON FLASH MEMORY INTERFACE）模式，我们首先向地址为55H的地方写入数据98H即可。
对于芯片的读写操作，一般都是先编写基本读、写函数。
/*写一个字，微控制器的A1->nor的A0，故需要左移一位*/
#define NOR_FLASH_BASE 0X0
void write_word_nor_flash(unsigned int base,unsigned int offset,unsigned int word)
{
Volatile unsigned short * p=(volatile unsigned short *)(base+(offset<<1));
*p=word;
}
/*写命令*/
void nor_command(unsigned int offset,unsigned int command)
{
write_word_nor_flash(NOR_FLASH_BASE,offset,command);
}
/* 读数据 */
unsigned int read_data_nor_flash(unsigned int base,unsigned int offset)
{
volatile unsigned short * p=(volatile unsigned short *)(base+(offset<<1));
return *p;
}
unsigned int nor_dat(unsigned int offset)
{
return read_data_nor_flash(NOR_FLASH_BASE, offset);
}
想要进入某种模式，输入对应的命令即可。注意，像芯片写数据时，所对应的扇区的初始值一定要是0XFFFF，否则，写无效 。擦除操作或者是写操作时，一定要结合状态位来判断芯片是否擦除或者是写完成。
图（2）擦除操作状态位说明