前言
肺炎当道，被堵在家回不去学校，莫得器材，莫得设备，干不了活，只有手边一块放假顺手捎回来的FPGA开发板。在家颓过了整个春节， 手机电脑都快玩吐了 也不能一直浪费时间，那就搞搞这块板子呗，为假期结束后要做的东西提前准备好改造素材也好。然后就瞄上了Kevin大佬的SDRAM教程。12号晚开工，中间翘了两天，直到18号下午正式调通。东西虽然简单，但是整体的梳理还是要做一下的，故有此一文。（顺便提高以后可能存在的复习效率）
一、项目整体介绍
要做的事情很简单，PC端利用串口助手通过UART向FPGA板子发送数据包，FPGA接收后提取出对SDRAM操作命令及操作数据，即将数据写入SDRAM和将数据读出SDRAM。数据读出SDRAM，将读出的数据通过串口回馈到PC端。项目的系统设计框图如下所示（下图中Cmd_endcode有误，应为Cmd_decode）：
二、系统各模块设计结构梳理
1.串口收发模块(UART_RX及UART_TX)
（1）时序设计部分
串口接收波形设计如上图。下面说明设计思路：
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rx 为FPGA的串口接收端，传递PC端过来的数据。空闲时为高电平，PC端要发送数据过来时会将该线拉低表示起始位，接着依次发送8bit数据（最低位优先）。无校验位。
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rx_t ~ rx_ttt 是对 rx 信号的延拍。打两拍作用是跨时钟域处理，打三拍作用是捕获下降沿（起始位）。这里附上其他人关于跨时钟域处理的学习总结： FPGA基础学习(3) – 跨时钟域处理方法
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rx_flag 是串口接收端识别出起始位后，拉高表示接收模块开始工作的标志信号。在接收8bit数据完毕后重新拉低。
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baud_cnt 为波特率计数器，FPGA使用时钟为50MHz，所以串口发送1bit的数据占用的时钟周期计算方式为：
（1 / 9600）* 10^9 / 20 = 5208 ，这里9600为波特率，20为20ns。也可记为 50 * 10^6 / 9600，50 * 10^6 即50MHz。
计满自动清零。 -
bit_flag 为 baud_cnt 的中间值，用于作为数据抓取标志。
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bit_cnt 用于统计一次通信累计接收的数据位数，计数到8表示当前数据接收完毕后清零。
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rx_data 通过移位拼接实现串转并。
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po_flag 为串口数据接收完成，数据可用的标识
串口发送波形设计与接收大致相同，其工作条件同样需要一个触发信号( tx_trig )。
（2）代码细节部分
串口收发能有个????的细节
（3）Modelsim波形仿真实录(50MHz系统时钟)
2.命令解析模块(Cmd_decode)
（1）时序设计部分
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uart_flag 为UART_RX模块给出的 po_flag 信号输入，uart_data 为UART_RX模块给出的 rx_data 。
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rec_num 为接收数据计数器，计满4个清零(该项目默认一帧数据一次写入4个)。
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cmd_reg 为命令寄存器，默认一帧数据中的第一个数据为SDRAM控制器的操作命令。—— 8‘h55为写，8’haa为读。
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wr_trig 为给SDRAM的写触发信号。等4个数据全部写入wfifo后，再让SDRAM控制器到wfifo这里读出来。
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rd_trig 为给SDRAM的读触发信号，当解析出8’haa读命令时给出触发脉冲。
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wfifo_wr_en 为wfifo的写使能信号。命令解析模块解析出8’h55写命令后，将接下来的4个数据判断为要写入wfifo的数据。
（2）代码细节部分 -
rec_num 应注意，不对8‘haa读命令进行计入。
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wr_trig、rd_trig 、wfifo_wr_en这三者实际上都可看作是不同条件下对uart_flag 的筛分。
（3）Modelsim波形仿真实录(50MHz系统时钟)
3.读写FIFO(wfifo、rfifo)
（1）时序设计部分
上半部分对接命令解析模块，对接SDRAM的主要是下半部分。这也是尤为需要注意的地方：在命令解析模块向SDRAM给出写触发脉冲( wr_trig )后，SDRAM给出wfifo的读使能信号，从wfifo里读出要写入SDRAM的数据。所以，wfifo的读使能信号在wfifo数据未被全部读出时必须保持高电平，全部读出后才能拉低。
图中的 rfifo_empty 信号为rfifo的空信号，实际应该取反，即为空时为高电平，内部有数据时该信号拉低。当命令解析模块解析出8’haa读命令时，给SDRAM控制器一个读触发脉冲。SDRAM收到后，将rfifo的写使能信号拉高，并把读出来的数据写入rfifo（上图中的红框部分）。由此，rfifo内部不再为空， rfifo_empty 信号拉低，UART_TX模块给出rfifo的读使能，开始将从rfifo读出的数据做并转串发送。
以下的部分为SDRAM控制器设计，这就需要根据自身的所用芯片的不同，参考芯片的数据手册进行修改了。Kevin大佬在****中所用的是地址位为12位的SDRAM，而我板子上的SDRAM是13位的地址，就不能直接用，得自己看着改。
再贴一下Kevin大佬的模式设置：
4.SDRAM控制器 —— init部分（初始化）
时间已经从手册上查出并标注在了时序图的对应位置。
初始化操作完成后，对外输出一个高电平表示初始化操作已完成。
5.SDRAM控制器 —— aref部分（刷新）
自动刷新的频率根据手册要求来决定。如博主使用的SDRAM芯片要求在64ms内刷新完8192行，这就要求
64 * 1000 / 8192 = 7.8us 要有一次刷新。
同时，在这里引入仲裁机制。顾名思义，在判断出SDRAM已完成初始化的情况下，为确保刷新、读、写的操作循环有序进行，引入仲裁机制。这里对刷新模块引出刷新请求信号，即在刷新模块内部进行7.8us的周期计时，计满拉高刷新请求信号，传递至仲裁状态机给出刷新使能后，再由刷新模块对SDRAM执行刷新操作。（这里先不考虑读、写模块）刷新操作执行完成后，拉高刷新完成信号，反馈给仲裁状态机，确保仲裁状态机退出刷新标记状态，以便进行下一次仲裁。
6.SDRAM控制器 —— write部分（写）
接收到写触发信号后，写模块对外拉高写请求信号，经仲裁状态机判断后给出写使能（默认处理优先级顺序为刷新、写、读），写模块执行写操作。写操作完成后，同样拉高写完成信号，反馈到仲裁状态机。由于写模块整个操作流程涉及到的命令较多，故使用状态机进行设计。
在这里还有两点细节需要注意：
- 可能存在写满了一行，但仍未写完的情况，此时需要Precharge关闭现有行，然后回跳到行**状态，**新行后继续执行写操作。
- 可能存在正在执行写操作时刷新模块发出刷新请求的情况，此时继续保持写入直到此次突发写完再关闭现有行，退出写状态，并重新发送写请求等待仲裁状态机响应。
Modelsim仿真实录(50MHz)
7.SDRAM控制器 —— read部分（读）
读与写设计思路大体相同，最需要注意的部分就在时序图上：读模块的读命令、Precharge命令的给出与数据读出的时序关系。
Modelsim仿真实录(50MHz)
