动态RAM共有三种刷新方式：集中刷新，分散刷新，异步刷新
刷新的实质：先将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息重新写入的再生成的过程
为什么要进行刷新：存储单元被访问是随机的，有些存储单元可能长时间的不被访问，不进行存储器的读写操作，其存储单元内的原信息就可能会丢失。
刷新是一行行进行的，必须在刷新周期内
刷新周期：对DRAM的所有存储单元恢复一次原状态的时间间隔
刷新间隔：两次刷新的起始时间差（某行从第一次刷新到第二次刷新的等待时间）
行刷新间隔：两行刷新的起始时间差
刷新时间：规定的一个周期内刷新的总时间
刷新一行的时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。
集中刷新
集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新（用专门的时间进行全部刷新）
例对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5s，刷新周期为2ms
2ms的刷新周期，占得存取周期个数为：
2000μs÷0.5μs=4000（个）
共有128行要进行刷新，则刷新占128个存取周期，则刷新的时间为：
128×0.5μs=64μs
读写或维持的时间：
2000μs-64μs=1936μs
读/写或维持的存储周期为：
4000-128=3872（个）
当用64μs进行集中刷新是，此时不能进行任何的读/写操作，故将这64μs称为“死区”或“死时间”
“死时间”所占的比率也称为“死时间率”
则集中刷新的“死时间率为”
128÷4000×100%=3.2%
优点：速度高
缺点：存在死区，死时间长
分散刷新
分散刷新：是指对每行存储单元的刷新分散到每个存储周期内完成（对某一行某芯片进行读写操作后，紧接着刷新）
例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5s，
将刷新分散到存储周期内完成 ，则存储周期就包含了刷新时间
此时，存储周期为
t=0.5μs+0.5μs=1μs
刷新（刷新以行算）一行的时间为1μs，全部刷新完的时间为：
128×1μs=128μs
此时比2ms小的多
优点：无死区
缺点：存取周期长，整个系统的速度降低了
异步刷新
异步刷新：前两种方式的结合，缩短了死时间，充分利用了最大刷新间隔为2ms的特点（只要在2ms内对这一行刷新一遍就行）
例：对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，存储周期为0.5s，刷新周期为2ms
2ms内对每行刷新一遍：
2000μs÷128≈15.6μs
即每隔15.6μs刷新一行，每行的刷新时间仍然为0.5μs。刷新一行就停一个存储周期，“死时间缩短为0.5μs”
这种方案克服了分散刷新许独占0.5μs用于刷新，使存取周期加长且降低系统速度的缺点，又不会出现集中刷新的访问“死区”问题，从根本上提高了工作效率。