MOS管的快速关断原理
R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管。
功率MOS管怎样关断？能否用PWM实现,怎样实现？
功率mosfet的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平）[url=13/]，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，[url=15/]给一个低电压（低电平）mosfet就能关断。既然是高低电平当然能用PWM实现，不过在具体应用中，应考虑PWM输出高低电平电压范围，PWM电压的输出驱动能力等。驱动能力太小，即使电压很高，依然无法驱动开通MOS管。这时候需要在PWM电路之后接PWM驱动电路，再来控制功率mosfet。这个PWM应该是具有负脉冲，可以快速关断MOS管。
MOS管的加速关断原理第一还有就是.R4的作用.也搞不懂.没。
看来楼不太清楚三极管的原理了，没有R4怎么满足Q1集电极反偏的要求（不管是PNP还是NPN三极管，其工作时必须满足集电结反偏，发射结正偏）.D1前施加一个负脉冲Q1就导通了，[url=31/]就可以把基极的电流抽走，加速MOS管的关断了啊。D1的作用是单向导通[url=32/]，不要把基极电流分往脉冲放大电路，让电流去接地。你明白了吗？
它能起到加速MOS管关断的作用,谢谢
驱动电阻主要是让MOS管导通稍微变慢，以免过驱动，这样的好处是解决电磁兼容中的辐射问题，并联一个电阻是加速截止，降低MOS管的关断损耗。
MOS管的快速关断原理
R4是Q1的导通电阻没有Q1就没有安装的必要了，当低电位来时Q1为泻放扩流管简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过。
MOS管D1的作用加快矩形波上升沿速度？这里还是不懂.这个。
这个电路是用来提高MOSFET关断速度的，本来用逻辑门直接驱动也很快，但是有可能逻辑门的最大输出电流不够大，因此可以利用那个PMOS快速关断。在功率MOSFET电路中，快速关断在安全性上要比能够快速打开重要。
求问MOS管关断延迟大怎么调？
搞搞前级，搞搞后级。就可以了。。。断掉前级，测试MOS输入电平。是低就上拉，高就下拉。总之跟他对着干。然后把前级加上去。试试看。调栅极的电阻啊或许可以的。
如何加快MOS管关断
可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间，在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法！！电路太小，不完整。
mos管做开关电路,5V接G,S极,则D,S极导通,但是断开5。
要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止。由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。实际使用时当要求管子截止时必须要在GS之间建立泄放回路（比如直接短路或通过电阻放电）才可以。
一个三极管和P-MOSFET构成的开关电路,打开正常,关断。
等效电容相对于开关电路来说是可以忽略的（除非频率特别高），MOS管属压控原件，对于一般开关电路开关速度应该差不多。