集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

时间:2024-03-26 16:10:43

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

 集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

 

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

 集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

 集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

 

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

集成电路基础知识笔记-MOS管二阶效应

思考题:
■亚值区间时,MOS管的IV特性呈指数特性,类似与BJT管。请问此时的Mos管能替代BJT管工作吗?

亚阈值区间的电压范围很小(?)

 

 

■随着L的不断减小,为何电路设计难度不断增加?

然而,随着MOs管尺寸进一步变小,导致了MOS管更强的电场。一阶模型不再准确,带来二阶效应的影响。例如,夹断区的漏电流随着源漏电压的改变而轻微的改变。电路设计更加复杂。