思考题:
■亚值区间时,MOS管的IV特性呈指数特性,类似与BJT管。请问此时的Mos管能替代BJT管工作吗?
亚阈值区间的电压范围很小(?)
■随着L的不断减小,为何电路设计难度不断增加?
然而,随着MOs管尺寸进一步变小,导致了MOS管更强的电场。一阶模型不再准确,带来二阶效应的影响。例如,夹断区的漏电流随着源漏电压的改变而轻微的改变。电路设计更加复杂。
思考题:
■亚值区间时,MOS管的IV特性呈指数特性,类似与BJT管。请问此时的Mos管能替代BJT管工作吗?
亚阈值区间的电压范围很小(?)
■随着L的不断减小,为何电路设计难度不断增加?
然而,随着MOs管尺寸进一步变小,导致了MOS管更强的电场。一阶模型不再准确,带来二阶效应的影响。例如,夹断区的漏电流随着源漏电压的改变而轻微的改变。电路设计更加复杂。