有位网友发了一个很有意思的电路，大概意思是自己搭了一个很基本，非常简单三极管驱动电路，本意是想将信号反向一下，但是输出并不像预期的那样，输出波形纹丝不动，并没有进行反向输出，查了之后看三极管导通频率为100MHz，但是现在的脉冲才1M左右，非常郁闷，请求指导。
他的输入波形与输出波形如下：
有人觉得三极管是假的，有人建议降低R3的阻值，还有人觉得8050的开关速度不够，很多猜想。
其中有位网友建议，R1上面并联一个100nF的电容试试，楼主并联之后，果不其然，问题得到解决，如下图所示：
这里涉及到一个叫做“加速电容”的概念。（以下内容参考自电源研发精英圈）
由于电荷存储效应，晶体管BE之间有一接电容，与Rb构成RC电路，时间常数较大影响了晶体管的导通和截至速度（即开关速度）。
加速电容的作用：
1、控制脉冲低电平时，电路达到稳态时，晶体管截至，电容两端电压为零。
2、控制脉冲高电平到来时，由于电容电压不能突变，电容需继续保持零，这样，左边输入突变为高电平，晶体管基极B电压突变到高电平，使晶体管迅速导通；电容被充电到脉冲电平电压；进入到稳态，电容电压为脉冲电平电压。
3、此后，当控制脉冲低电平到来时，由于电容电压不能突变，需继续保持脉冲电平电压，因此，基极电压从零（实际为be压降)跳变到负的脉冲电平电压，使得晶体管迅速从饱和状态转到截至状态；此后，电容通过R放电，达到稳态时，两端电压为零。
4、然后，重复以上过程。
电路中，电容并联在R1上，称之为加速电容，目的是加**极管导通和截至的转换速度。
再详细分析一下：
加速导通过程：当输入信号电压Ui从0V跳变到高电平时，由于电容Cl两端的电压不能突变，加到VT1基极的电压为一个尖顶脉冲，其电压幅值最大，如下图3所示，这一尖顶脉冲加到VT1基极，使VT1基极电流迅速从OA增大到很大，这样VT1迅速从截止状态进入饱和状态，加速了VT1的饱和导通，即缩短了VT1饱和导通时间（三极管从截止进入饱和所需要的时间）。
维持导通过程：在t0之后，对Cl的充电很快结束，这时输入信号电压Ui加到VT1基极的电压比较小，维持VT1的饱和导通状态。
加速截止过程：当输入信号电压U从高电平突然跳变到0V时，如图3(b)所示的tl时刻，由于Cl上原先充到的电压极性为左正右负，加到VT1基极的电压为负尖顶脉冲。由于加到VT1基极的电压为负，加快了VT1从基区抽出电荷的过程，VT1以更快的速度从饱和转换到截止状态，即缩短了VT1向截止转换的时间。
注意：MOS的G级限流电阻同理可以考虑并联加速电容。
此外如下是网友的一些看法与建议：
1、8050是小功率管子，加速电容用100nF偏大了。用100-1000pF差不多。
2、并联电容是不合适的。应该考虑换别的BJT或者换MOS管。
3、并联一只开关二极管也可以。
4、这个原理有点像自举电容，不过我有点疑问，在导通瞬间，由于电容电压不能突变，此时电阻被短路，失去保护基集的作用，这个作用过程虽然短暂，但如果电流过大，也会存在被击穿危险。
自举电容：
自举电容主要应用电容的特性-----电压不能突变，总有一个充电放电的过程而产生电压自举、电位自举作用的。
自举电容的作用：
1，自举电容是利用电容两端电压不能突变的特性，当电容两端保持有一定电压时，提高电容负端电压，正端电压仍保持于负端的原始压差，等于正端的电压被负端举起来了。实际就是正反馈电容，用于抬高供电电压。自举电容就是一个自举电路。
2，自举电路也叫升压电路，利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高．有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
应用实例：
1.利用自举电路提高射极跟随器的输入电阻。射随器具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点，所以在电子线路中的应用是极为广泛的。图3是一典型射极跟随器电路，由于基极采用的是固定偏置电路，所以无法保证工点的稳定。
2.利用自举电路扩大电路动态范围。利用自举电路可以扩大放大器的输出动态范围。
3.利用自举电路提高电路益增。
4.利用自举电路解决交、直流参数设置。