SRAM和DRAM
DRAM，动态随机存取存储器，需要实时刷新来保持数据。价格便宜，一般用于大容量产品。
工作原理
SRAM的存储单元是交叉耦合的两个反相器（T1-T3和T2-T4），靠双稳态实现数据锁存，不需要刷新。
DRAM的存储单元是一个晶体管+一个电容，数据以电平为载体保存在电容上。因为电容会漏电，因而需要实时刷新。
面积
存储1bit数据，SRAM要6个晶体管，DRAM只要1个晶体管+1个电容，SRAM面积是DRAM的4~5倍。
价格
行列地址复用
实际存储芯片内部是一个二维矩阵，按照行地址和列地址来定位访问的存储单元。
对于容量大的DRAM，地址位宽也大，芯片引脚数不够，需要行地址、列地址依次输入
应用场景
SDRAM和DDR LPDDR
SDRAM
SDRAM，同步DRAM，内核都是1T+1C的存储单元。因为其同步接口的特点，方便数据读取，广泛应用于内存场景。真正的（异步）DRAM已经不多见了。
通常DRAM是异步接口，可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM是同步接口，与系统总线时钟严格同步，其本质目的是为了提高读写速度。
SDRAM是多bank结构，而DRAM是不分bank的，这是两者结构上最大的不同点。
分bank的好处：SDRAM内部分成两个以上的bank，选中的bank在进行读写时，没有被选中的bank便可以预充电，做必要的准备工作。当下一个时钟周期选中它时，就无需等待而即可直接读取，大大提高了存储器的访问速度。
DDR系列
DDR/DDR2/DDR3其全称应该是 DDR/DDR2/DDR3 SDRAM，说明它们都是在SDRAM下面的分类，2/3代表了第几代，一般是频率提升、数据吞吐率提升的版本。应用于电脑内存条等场景。
LPDDR系列
LPDDR/LPDDR2/LPDDR3其全称应该是 LPDDR/DDR2/DDR3 SDRAM，它们也是SDRAM下面的分类，LP代表了Low Power，关注低功耗场景，一般应用于移动设备，如手机、Pad等场景。这种设备上往往空间受限，因而接口pin脚数量有限，接口也比DDR有所简化。
PSRAM 和 SPI/QPI/OPI PSRAM
PSRAM，伪SRAM，其实也是DRAM的一种，只不过接口上伪装成了SRAM的样子：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，不需要地址拆分成行列地址。
常见于2G基带数据缓存，一般以SiP的形式封装在片内（不同于SDRAM是独立在PCB上的）。如今由于物联网的兴起，PSRAM的小型化、低功耗优势得以体现，因而分化出SPI/QPI/OPI（单线/四线/八线串行接口） PSRAM。
SPI PSRAM: 8-pin SOP封装，最高速率可以达到104MHz, 具有片选CS、CLK、SI、SO 4个信号脚。
QPI PSRAM: 8-pin SOP封装，最高速率104MHz, 有额外的3个双向数据管脚，由此带宽峰值可以达到416Mbps。
OPI PSRAM: 24 脚封装，有8个串行数据线，最高时钟频率达到133MHz，最高带宽可以达到133x8 x2=2.128Gbps。这里x2是因为它可以实现DDR，以提高数据带宽。
RLDRAM
RLDRAM，低延迟DRAM。是一种改进的DRAM，专门改善了延迟，提高了数据带宽。也有类似SRAM的接口，地址无需拆分为行地址和列地址，提高了访问速度。
