WNM2046 单N沟道 20V 0.71A功率MOSFET晶体管WILLSEM时间:2024-03-20 07:26:35单N沟道,20V,0.71A,功率MOSFET 说明 WNM2046是N通道增强型MOS 场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计,提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷。 该设备适合用于 DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WNM2046是无铅的。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻,可提供更高的直流 极低的阈值电压 小型封装DFN1006-3L 应用 小信号切换 小摩托车司机