原理图
取n=14，这样总共会有16个晶体管，在版图时可以画成4x4矩阵，更好的匹配。
仿真PMOS晶体管
对单管pmos仿真gmid以及gain曲线
假设：gm/id=6，L=2u，Id=10uA
从gmid-id/w曲线中可以得到W=12u
bandgap中运放的设计
采用两级运放
假设CL=10p，GBW=50MHz，Av＞10000
输入级pmos进行仿真
取Cc=CL/2=5p，根据
，可以计算出gm1=2*10^-3
取gm/id=12，可以计算出id=167uA
Av＞10000，每一级增益取100
Av1=gm1ro/2＞100，需要gain＞200
在gmid-gain中找到gain＞200时的L
取L=400n
根据gmid-idw曲线求出W=121u，令m=4，W=31.5u
负载晶体管nmos仿真
取gm/id=8，L=2u,W=145u,m=4时，w=36.56u
运放第二级nmos管仿真
确定晶体管M6的尺寸，晶体管M6的gm应为gm1的6倍，因此gm6=16*10^-3
取gm/id=8，id=2mA如图L=2u，同理从图中可以看出W=876u，取m=10，，w=87.6u
两级运放仿真
最后根据需求微调参数
banggap仿真电阻R1,R2
假设支路电流为10uA，对R1进行扫描，取R1=6.85K
R2决定温度系数，对R2进行参数扫描，取R2=43k
温度特性仿真
对VDD进行仿真
