OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。
随着过去几十年的Nand技术的发展，一些公司，基于原先的NAND的架构，
设计出一种理想的单存储芯片，其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。
OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度，又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点。
与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。
OneNand Nand Nor 三种Flash的区别：
应用需求 |
NAND |
OneNAND |
NOR |
快速随机读取 |
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√ |
快速顺序读取 |
√ |
√ |
√ |
快速 写/编程 |
√ |
√ |
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同时擦除多个块 |
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√ (最大64个块) |
√ |
擦除的挂起/恢复 |
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√ |
√ |
写回 |
√(错误检测) |
√ (错误检测与纠正) |
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锁/解锁/紧锁 |
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√ |
√ |
错误纠正 |
外部 (硬件/软件) |
内置 |
不需要 |
扩展性 |
√ |
√ |
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OneNAND闪存，由Samsung开发，支持更快速数据吞吐和更高的密度，这两点是满足高分辨率摄影、视频和其他媒体应用的两个主要要求。
OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲，一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口，NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列，以及高达5 KB的缓冲RAM。至于速度，它能以高达108 MB/s的持续读数据率传输。
OneNAND器件有两种类型：muxed和demuxed。对于muxed型，地址引脚和数据引脚结合在一起，而demuxed型芯片这两个引脚是分开的。当关注的是减少引脚数时，选择muxed OneNAND可能好一些。另外，muxed OneNAND只工作在1.8V，demuxed的密度较低，不到1 Gbit，demuxed有1.8V 和3.3V两种选择。如果muxed或demuxed器件的密度超过1 Gbit，则只能选择1.8V的工作电压。
基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb的存储容量，并且在今年晚些时候，将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。
总之，NOR闪存适合代码存储，就是说，固件、器件应用等，而NAND闪存处理存储量大的类似于硬盘驱动的例行工作。OneNAND闪存两个优点都具备，它能胜任代码和海量数据存储，同时效率更高。
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NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。
NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低；
与NOR Flash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点，在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。
结构：NOR Flash为并行，NAND Flash为串行。
总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的。
尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。
坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多，建议使用NAND闪存时，同时使用EDC／ECC算法。
使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以直接在FIash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因此使用时需要写入驱动程序。