DRAM(MT48LC8M32B2)学习

时间:2023-03-08 22:37:06
DRAM(MT48LC8M32B2)学习

DRAM(MT48LC8M32B2)学习Micron公司,型号为MT48LC8M32B2的DRAM,其86PIN的 TSOP封装引脚定义

Micron公司,型号为MT48LC8M32B2的DRAM,其86PIN的 TSOP封装引脚定义如上图所示。其型号中8M32则表示2Megx32X4banks = 256Mbit。

各引脚定义如下:

CLK:Input,系统时钟,DRAM的所有信号均在CLK的高电平边沿被采集。CLK也可被用来进行内部倍频或用来控制输出寄存器。

CKE:时钟使能,高电平有效。无效时钟后,会使器件关闭充电,进入自刷新模式。进而关闭电源或者挂起时钟。CKE一直是同步的,除非设备关闭电源或进入自刷新模式。在电源关闭、自刷新模式下,数据输入BUFFER和CLK都是不可用的。

CS#:芯片选择,低有效。在CS#高电平器件,所有指令将会不屏蔽。CS#为系统中存在多个块的选择而提供,CS#也被认为是指令的一部分。

WE#, CAS#, RAS#:命令输入
DQM0-DQM3:输入输出屏蔽位,高电平有效。写入口的输入屏蔽信号,读入口的输出使能信号。输出缓冲器在读周期内为高阻态。DQM0与DQ0-DQ7相对应,DMQ1与DQ8-DQ15相对应,DMQ2与DQ16-DQ23相对应,DMQ3与DQ24-DQ31相对应。

BA0、BA1:块地址输入引脚,BA0、BA1定义激活、读、写或充电是针对哪一个块。

A0-A11:地址输入引脚,

DQ0-DQ31:数据总线

VDDQ、VSSQ、VDD、VSS:电源

DRAM(MT48LC8M32B2)学习功能框图