《MiniPRO H750开发指南》第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

STM32H750本身没有自带EEPROM，但是STM32H750具有IAP（在应用编程）功能，所以我们可以把它的FLASH当成EEPROM来使用。本章，我们将利用STM32H750内部的FLASH来实现第三十六章实验类似的效果，不过这次我们是将数据直接存放在STM32H750内部，而不是存放在NOR FLASH。

本章分为如下几个小节：

42.1 STM32H750 FLASH简介

42.2 硬件设计

42.3 程序设计

42.4 下载验证

42.1 STM32H750 FLASH简介

STM32H750内部只有128K FLASH，仅有1个扇区，STM32H750的闪存模块组织如表42.1.1所示：

块	名称	FLASH起始地址	大小
BANK1	扇区0	0X0800 0000-0X0801FFFF	128K
BANK1	系统存储器	0X1FF0 0000-0X1FF1FFFF	128K

表42.1.1 STM32H750闪存模块组织

STM32H750为了节省成本，内部仅包含1个用户扇区（Sector0），大小为128K。另外，内部还有一个128K的系统存储区，用于存储ST自己的BootLoader程序等，不过这个128K用户是无法访问的。

关于STM32H750内部FLASH的详细说明，详见《STM32H7xx参考手册_V7（英文版）》第4.3节相关内容。

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

42.1.1 闪存的读取

为了准确读取 Flash 数据，必须根据ACLK时钟rcc_aclk) 频率和Vcore电压范围在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。Flash 等待周期与ACLK时钟频率之间的对应关系，如表42.1.1.2所示：

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表42.1.1.2 ACLK时钟（rcc_aclk）频率对应的FLASH等待周期表

等待周期通过FLASH_ACR寄存器的LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后，CPU时钟频率为内部64M RC振荡器（HSI），LATENCY默认是0，即0个等待周期。为了得到更佳的FLASH访问性能，我们设置Vcore电压范围为VOS1级别（1.15V~1.26V）。rcc_aclk和rcc_hclk3的频率是一样的，都是来自RCC_D1CFGR的HPRE[3:0]分频，rcc_hclk3我们一般设置的是240Mhz，这样rcc_aclk也是240Mhz的频率。我们设置等待周期为4（LATENCY[2:0]=4），否则FLASH读写可能出错，导致死机。寄存器的设置和HAL库的是不一样的，这个请大家注意一下。这个知识点我们在11.2.1小节讲解过，请回顾。

STM32H750的FLASH读取是很简单的。例如，我们要从地址addr，读取一个字（一个字为32位），可以通过如下的语句读取：

Data = *(volatile uint32_t *)faddr;

将faddr强制转换为volatile uint32_t指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了faddr地址的值。类似的，将上面的volatile uint32_t改为volatile uint8_t，即可读取指定地址的一个字节。相对FLASH读取来说，STM32H750 FLASH的写就复杂一点了，下面我们介绍STM32H750闪存的编程和擦除。

42.1.2 闪存的编程和擦除

在对 STM32H750的Flash执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从Flash中执行代码或数据获取操作。

特别注意：因为STM32H750内部仅有1个扇区，所以在执行对该扇区的擦除或者写入操作时，是无法执行内部FLASH代码的，因此，必须外扩QSPI FLASH，将擦除/编程内部扇区相关的代码放到外部QSPI FLASH，这样才可以实现对内部FLASH的正常擦除及写入操作。

STM32H750用户闪存的编程一般由5个32位寄存器控制，他们分别是：

FLASH访问控制寄存器(FLASH_ACR)
FLASH秘钥寄存器1(FLASH_KEYR1)
FLASH状态寄存器1(FLASH_SR1)
FLASH控制寄存器1(FLASH_CR1)
FLASH清除与控制寄存器1(FLASH_CCR1)

注意：这里的FLASH_KEYR1、FLASH_SR1、FLASH_CR1、FLASH_CCR1分别对应Bank1的相关寄存器，所以单个Bank的控制寄存器由：FLASH_KEYR、SR、CR和CCR等四个寄存器控制。下面，我们直接以FLASH_KEYR、FLASH_CR、FLASH_SR和FLASH_CCR来介绍相关操作。

STM32H750复位后，FLASH编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入特定的序列（0X45670123和0XCDEF89AB）到FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。

FLASH_CR的解锁序列为：

写0X45670123到FLASH_KEYR
写0XCDEF89AB到FLASH_KEYR

通过这两个步骤，即可解锁FLASH_CR，如果写入错误，那么FLASH_CR将被锁定，直到下次复位后才可以再次解锁。

STM32H750闪存的编程位数固定为256位，也就是每次写入数据必须为8个字（32字节），如果不够8个字，可以在后面进行补零写入，否则后续的内容将不可预知。而且，写入首地址必须是32的整数倍，否则会影响前后数据。

举例来说，假设我们要往：0X0810 0000这个地址写入一个字节的数据，则写入一个字节数据的同时，也会影响接下来31字节的内容，因此，如果你只需要写入一个字节，则可以将后面的31字节全部填充成0，然后组成一个32字节数组（256位），一次写入。而且，如果你写入数据的首地址不是32的倍数，比如往0X0810 0004这里，写入1个字节数据，则会把地址：0X0810 0000 ~ 0X0810 0003的数据也损坏掉（擦除）。所以，记住STM32H7 FLASH写入的规则：写入首地址必须是32的倍数，写入数据长度必须是32字节的倍数。

FLASH配置步骤

STM32H750的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFFFFFF），否则无法写入。STM32H750的标准编程步骤如下：

1，检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁

2，检查FLASH_SR中的BSY位，确保当前未执行任何FLASH操作。

3，设置FLASH_CR寄存器的PSIZE[1:0]为2，按字写入（32位写入）。

4，将FLASH_CR寄存器中的PG位置1，激活FLASH编程。

5，在指定的存储器地址，写入数据（一次写入32字节，不能超过32字节）

6，等待BSY位清零，完成一次编程。

按以上六步操作，就可以完成一次FLASH编程。不过需要注意：编程前，要确保要写如地址的FLASH已经擦除。

在STM32H750的FLASH编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，所以，我们有必要再介绍一下STM32H750的闪存擦除，STM32H750的闪存擦除分为两种：扇区擦除和块擦除。

扇区擦除步骤如下：

1，检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁。

2，检查FLASH_SR寄存器中的BSY 位，确保当前未执行任何FLASH操作。

3，在FLASH_CR寄存器中，将SER位置1，并设置SNB=0（只有1个扇区，扇区0）。

4，将FLASH_CR寄存器中的START位置1，触发擦除操作。

5，等待BSY位清零。

经过以上五步，就可以擦除某个扇区。本章，我们只用到了STM32H750的扇区擦除功能。块擦除功能我们在这里就不介绍了，想了解的朋友请看《STM32H7xx参考手册_V7（英文版）.pdf》的相关内容。

42.1.3 FLASH寄存器

Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）Flash访问控制寄存器描述如图42.1.3.1所示：

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图42.1.3.1 FLASH_ACR寄存器
WRHIGHFREQ[1:0]位，用于控制FLASH编程操作时的延迟，必须根据FLASH操作频率（rcc_aclk）进行正确的设置：00，rcc_aclk≤85Mhz；01，rcc_aclk≤185Mhz；10，rcc_aclk≤285Mhz；
11，rcc_aclk≤385Mhz；我们的rcc_aclk设置的是240Mhz，设置WRHIGHFREQ[1:0]=10即可。
LATENCY[2:0]位，用于控制FLASH读延迟，必须根据我们MCU内核的工作电压和频率，来进行正确的设置，否则，可能死机，设置规则见表42.1.1.2。
存储区1的FLASH密钥寄存器（FLASH_KEYR1）存储区1的FLASH密钥寄存器描述如图42.1.3.2所示：

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图42.1.3.2 FLASH_KEYR1寄存器
该寄存器主要用来解锁FLASH_CR，必须在该寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）解锁后，才能对FLASH_CR寄存器进行写操作。
存储区1的FLASH控制寄存器（FLASH_CR1）存储区1的FLASH控制寄存器描述如图42.1.3.3所示：

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图42.1.3.3 FLASH_CR1寄存器
LOCK位，该位用于指示FLASH_CR寄存器是否被锁住，该位在检测到正确的解锁序列后，硬件将其清零。在一次不成功的解锁操作后，在下次系统复位之前，该位将不再改变。
PG位，该位用于选择编程操作，在往FLASH写数据的时候，该位需要置1。
SER位，该位用于选择扇区擦除操作，在扇区擦除的时候，需要将该位置1。
PSIZE[1:0]位，用于设置编程宽度，我们一般设置PSIZE =2即可（32位）。
SATRT位，该位用于开始一次擦除操作。在该位写入1 ，将执行一次擦除操作。
SNB[2:0]位，这3个位用于选择要擦除的扇区编号，取值范围为0~7，H750只能设为0。
FLASH_CR的其他位，我们就不在这里介绍了，请大家参考《STM32H7xx参考手册_V7（英文版）.pdf》。
存储区1的FLASH状态寄存器（FLASH_SR1）

存储区1的FLASH状态寄存器描述如图42.1.3.4所示：

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图42.1.3.4 FLASH_SR1寄存器

BSY位：表示BANK当前正在执行编程操作，必须等待该位为0，才可以执行其他操作。

WBNE位：表示BANK写BUFFER是否为空。当该位为1时，表示写BUFFER里面还有数据待写入FLASH，需要等待该位为0，才表示数据写入全部完成了。

QW位：表示操作序列里面是否还有编程操作需要执行，需要等待该位为0，才表示所有的编程操作完成了。

最后，FLASH清除控制寄存器FLASH_CCR用于清除相关错误，这里我们就不做介绍了，详见《STM32H7xx参考手册_V7（英文版）.pdf》第3.9.6节。

42.2 硬件设计

1. 例程功能

按键KEY1控制写入FLASH的操作，按键KEY0控制读出操作，并在TFTLCD模块上显示相关信息，还可以借助USMART进行读取或者写入操作。LED0闪烁用于提示程序正在运行。

2. 硬件资源

1）RGB灯

RED ：LED0 - PB4

2）串口1(PA9/PA10连接在板载USB转串口芯片CH340上面)

3）正点原子2.8/3.5/4.3/7/10寸TFTLCD模块(仅限MCU屏，16位8080并口驱动)

4）独立按键：KEY0 - PA1、KEY1 - PA15

42.3 程序设计

42.3.1 FLASH的HAL库驱动

FLASH在HAL库中的驱动代码在stm32h7xx_hal_flash.c和stm32h7xx_hal_flash_ex.c文件（及其头文件）中。

1. HAL_FLASH_Unlock函数

解锁闪存控制寄存器访问的函数，其声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);

函数描述：用于解锁闪存控制寄存器的访问，在对FLASH进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列（KEY1和KEY2）。
函数形参：无
函数返回值：HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。2. HAL_FLASH_Lock函数锁定闪存控制寄存器访问的函数，其声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock (void);

函数描述：用于锁定闪存控制寄存器的访问。
函数形参：无
函数返回值：HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。3. HAL_FLASHEx_Erase函数闪存擦除函数，其声明如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, 
uint32_t *SectorError);

函数描述：该函数用于大量擦除或擦除指定的闪存扇区。
函数形参：形参1是FLASH_EraseInitTypeDef结构体类型指针变量。
形参2是uint32_t类型指针变量，存放错误码，0xFFFFFFFF值表示扇区已被正确擦除，其它值表示擦除过程中的错误扇区。。
函数返回值：HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。4. FLASH_WaitForLastOperation函数等待FLASH操作完成函数，其声明如下：

HAL_StatusTypeDef FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout, uint32_t Bank);

函数描述：该函数用于等待FLASH操作完成。
函数形参：形参1是FLASH操作超时时间。
形参2是等待BANK1还是BANK2操作完成，这里我们用的H750只能选择BANK1。
函数返回值：

HAL_StatusTypeDef枚举类型的值。

42.3.2 程序流程图

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图42.3.2.1 FLASH模拟EEPROM实验程序流程图

42.3.3 程序解析

1. STMFLASH驱动代码

这里我们只讲解核心代码，详细的源码请大家参考光盘本实验对应源码。STMFLASH驱动源码包括两个文件：stmflash.c和stmflash.h。

stmflash.h头文件做了一些比较重要的宏定义，定义如下：

/*****************************************************************************/
/* FLASH起始地址 */
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000  /* STM32 FLASH的起始地址 */
#define STM32_FLASH_SIZE 0x20000  /* STM32 FLASH总大小 */
#define BOOT_FLASH_SIZE 0x4000  /* 前16K FLASH用于保存BootLoader */
#define FLASH_WAITETIME 50000   /* FLASH等待超时时间 */

/* FLASH 扇区的起始地址,H750xx只有BANK1的扇区0有效,共128KB */
#define BANK1_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Bank1扇区0起始地址 */
/*****************************************************************************/

STM32_FLASH_BASE和STM32_FLASH_SIZE分别是FLASH的起始地址和FLASH总大小，这两个宏定义随着芯片是固定的，我们开发板的H750芯片的FLASH是128K字节，所以STM32_FLASH_SIZE宏定义值为0x20000。

比较重要的一个宏定义是BOOT_FLASH_SIZE，因为这个宏定义需要用户根据自己工程的大小设置的。设置方法如下：首先编译我们的工程，通过查看.map文件，查询并计算出程序加载都STM32内部FLASH的指令内存的大小，最后根据这个大小来定义这个宏的值。这里，我们直接编译HAL库实验30 FLASH模拟EEPROM实验的例程，然后如下图操作：

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图42.3.3 查看程序加载占用FLASH的大小

首先双击FLASH打开.map文件，然后查询到Execution Region ER_m_stmflash。如图中所示，得到加载到STMFLASH的程序占用的内存大小约为14.2KB。

因此，BOOT_FLASH_SIZE宏定义的值我们设置为0x4000（即16KB），表示预留STMFLASH的前16K的内存用于保存BootLoader。在本工程中，BOOT_FLASH_SIZE宏定义的值要满足几个条件，一是必须大于14.2KB，二是必须是4的倍数，三是预留一定的空间给BootLoader执行过程的内存消耗。

FLASH_WAITETIME是FLASH等待超时时间的宏定义。

BANK1_FLASH_SECTOR_0是Bank1扇区0起始地址，H750xx就只有BANK1的扇区0有效，共128KB。

下面我们开始介绍stmflash.c的程序，具体程序源码如下：

/**
得到FLASH的错误状态
无
错误代码
无错误
其他, 错误编号
 */
static uint8_t stmflash_get_error_status(void)
{
 uint32_t res = 0;
 res = FLASH->SR1;

 if (res & (1 << 17)) return 1; /* WRPERR=1,写保护错误 */
 if (res & (1 << 18)) return 2; /* PGSERR=1,编程序列错误 */
 if (res & (1 << 19)) return 3; /* STRBERR=1,复写错误 */
 if (res & (1 << 21)) return 4; /* INCERR=1,数据一致性错误 */
 if (res & (1 << 22)) return 5; /* OPERR=1,写/擦除错误 */
 if (res & (1 << 23)) return 6; /* RDPERR=1,读保护错误 */
 if (res & (1 << 24)) return 7; /* RDSERR=1,非法访问加密区错误 */
 if (res & (1 << 25)) return 8; /* SNECCERR=1,1bit ecc校正错误 */
 if (res & (1 << 26)) return 9; /* DBECCERR=1,2bit ecc错误 */

 return 0; /* 没有任何状态/操作完成. */
}

/**
等待操作完成
要延时的长短
错误代码
已完成
错误代码
超时
 */
static uint8_t stmflash_wait_done(uint32_t time)
{
 uint8_t res = 0;
 uint32_t tempreg = 0;

 while (1)
 {
 tempreg = FLASH->SR1;

 if ((tempreg & 0X07) == 0)
 {
 break; /* BSY=0,WBNE=0,QW=0,则操作完成 */
 }

 time--;

 if (time == 0)return 0XFF;
 }

 res = stmflash_get_error_status();

 if (res)
 {
 FLASH->CCR1 = 0X07EE0000; /* 清所有错误标志 */
 }

 return res;
}

/**
在FLASH指定地址写8个字,即256bit
必须以256bit为单位(32字节)编程!!
指定地址(此地址必须为4的倍数!!)
要写入的数据
错误代码
写入成功
其他: 错误代码
 */
static uint8_t stmflash_write_8word(uint32_t faddr, uint32_t *pdata)
{
 volatile uint8_t nword = 8; /* 每次写8个字,256bit */
 uint8_t res;
 res = stmflash_wait_done(0XFFFF);

 if (res == 0) /* OK */
 {
 FLASH->CR1 &= ~(3 << 4); /* PSIZE1[1:0]=0,清除原来的设置 */
 FLASH->CR1 |= 2 << 4;  /* 设置为32bit宽 */
 FLASH->CR1 |= 1 << 1;  /* PG1=1,编程使能 */

 while (nword)
 {
 *(volatile uint32_t *)faddr = *pdata; /* 写入数据 */
 faddr += 4;  /* 写地址+4 */
 pdata++;  /* 偏移到下一个数据首地址 */
 nword--;
 }
 __DSB();  /* 写操作完成后,屏蔽数据同步,使CPU重新执行指令序列 */
 res = stmflash_wait_done(0XFFFF); /* 等待操作完成,一个字编程,最多100us. */
 FLASH->CR1 &= ~(1 << 1);/* PG1=0,清除扇区擦除标志 */
 }

 return res;
}

/**
读取指定地址的一个字(32位数据)
要读取的地址
读取到的数据
 */
uint32_t stmflash_read_word(uint32_t faddr)
{
 return *(volatile uint32_t *)faddr;
}

/**
从指定地址开始写入指定长度的数据
特别注意：因为STM32H750只有一个扇区（128K）,因此我们规定：
前16K留作BootLoader用
后112K用作APP用，我们要做写入测试，尽量使用16K以后的地址，否则容易出问题
另外，由于写数据时，必须是0XFF才可以写入数据，因此不可避免的需要擦除扇区
所以在擦除时需要先对前16K数据做备份保存（读取到RAM），然后再写入，以保证
前16K数据的完整性。且执行写入操作的时候，不能发生任何中断（凡是在写入时执
行内部FLASH代码，必将导致hardfault）。
起始地址(此地址必须为32的倍数!!,否则写入出错!)
数据指针
字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数,一次至少写入32字节,即8个字)
无
 */

/* FLASH 写入数据缓存 */
uint32_t g_flashbuf[BOOT_FLASH_SIZE / 4];

void stmflash_write(uint32_t waddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
 FLASH_EraseInitTypeDef flash_erase_init_handle;
 HAL_StatusTypeDef hal_status = HAL_OK;
 uint32_t SectorError = 0;
 uint32_t addrx = 0;
 uint32_t endaddr = 0;
 uint16_t wbfcyc = BOOT_FLASH_SIZE/32;/* 写bootflashbuf时,需要执行的循环数 */
 uint32_t *wbfptr;
 uint32_t wbfaddr;
/* 写入地址小于STM32_FLASH_BASE+BOOT_FLASH_SIZE,非法. */
 if (waddr < (STM32_FLASH_BASE + BOOT_FLASH_SIZE))return; 
 /* 写入地址大于STM32总FLASH地址范围,非法. */
 if (waddr > (STM32_FLASH_BASE + STM32_FLASH_SIZE))return; 

 if (waddr % 32)return; /* 写入地址不是32字节倍数,非法. */

 HAL_FLASH_Unlock(); /* 解锁 */
 addrx = waddr; /* 写入的起始地址 */
 endaddr = waddr + length * 4; /* 写入的结束地址 */

 while (addrx < endaddr) /* 扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) */
{
/* 有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 */
 if (stmflash_read_word(addrx) != 0XFFFFFFFF) 
 { 
/* 读出BOOT_FLASH_SIZE大小数据 */
 stmflash_read(STM32_FLASH_BASE, g_flashbuf, BOOT_FLASH_SIZE / 4); 
 INTX_DISABLE(); /* 禁止所有中断 */
/* 擦除类型，扇区擦除 */
 flash_erase_init_handle.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; 
 flash_erase_init_handle.Sector = FLASH_SECTOR_0; /* 要擦除的扇区 */
 flash_erase_init_handle.Banks = FLASH_BANK_1; /* 操作BANK1 */
 flash_erase_init_handle.NbSectors = 1; /* 一次只擦除一个扇区 */
/* 电压范围，VCC=2.7~3.6V之间 */
 flash_erase_init_handle.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; 
 hal_status =HAL_FLASHEx_Erase(&flash_erase_init_handle,&SectorError);
 if (hal_status != HAL_OK)  /* 发生错误了 */
 {
 INTX_ENABLE();  /* 允许中断 */
 break;  /* 发生错误了 */
 }
 SCB_CleanInvalidateDCache();  /* 清除无效的D-Cache */
 wbfptr = g_flashbuf;  /* 指向g_flashbuf首地址 */
 wbfaddr = STM32_FLASH_BASE;  /* 指向STM32 FLASH首地址 */
 while (wbfcyc)  /* 写数据 */
 {
 if (stmflash_write_8word(wbfaddr, wbfptr)) /* 写入数据 */
 {
 break;  /* 写入异常 */
 }
 wbfaddr += 32;
 wbfptr += 8;
 wbfcyc--;
 }
 INTX_ENABLE();  /* 允许中断 */
 }
 else
 {
 addrx += 4;  /* 偏移到下一个位置 */
 }
/* 等待上次操作完成 */
 FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME, FLASH_BANK_1);
}
/* 等待上次操作完成 */
 hal_status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME, FLASH_BANK_1); 

 if (hal_status == HAL_OK)
 {
 while (waddr < endaddr) /* 写数据 */
 {
 if (stmflash_write_8word(waddr, pbuf)) /* 写入数据 */
 {
 break; /* 写入异常 */
 }
 waddr += 32;
 pbuf += 8;
 }
 }
 HAL_FLASH_Lock(); /* 上锁 */
}

/**
从指定地址开始读出指定长度的数据
起始地址
数据指针
要读取的字(32)数,即4个字节的整数倍
无
 */
void stmflash_read(uint32_t raddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{
 uint32_t i;

 for (i = 0; i < length; i++)
 {
 pbuf[i] = stmflash_read_word(raddr); /* 读取4个字节. */
 raddr += 4; /* 偏移4个字节. */
 }
}
/*****************************************************************************/
/* 测试用代码 */

/**
测试写数据(写1个字)
起始地址
要写入的数据
读取到的数据
 */
void test_write(uint32_t waddr, uint32_t wdata)
{
 stmflash_write(waddr, &wdata, 1); /* 写入一个字 */
}

该部分代码，我们重点介绍一下stmflash_write函数，该函数用于在STM32H750的指定地址写入指定长度的数据，有几个要注意的点：

写入地址必须是在BOOT_FLASH_SIZE以后。
写入地址必须是32的倍数。
单次写入长度必须是32字节的倍数（8个字）。

第1点重点说明一下，BOOT_FLASH_SIZE是我们在stmflash.h里面定义的一个宏定义，其值为：0X4000，即16K，也就是写入数据必须在16K以后的地址（0X0800 0000 + 0X4000）写入。因为STM32H750内部仅有1个扇区，为了方便做IAP应用，必须把这一个扇区分为2部分：IAP部分和APP部分，我们预留16K地址范围给IAP，所以本例程写入地址必须在16K以后，以便后面的IAP应用。

另外，由于H750内部只有1个扇区，在擦除扇区的时候，连带所有数据都擦掉了（IAP也擦了），所以，为了能够实现保留IAP的效果，我们在stmflash_write函数里面，执行擦除扇区之前，会先备份前16K的数据，将前16K数据保存到SRAM，然后再擦除扇区，擦除完了以后，再从SRAM里面恢复这16K数据到扇区里面去，这样就可以实现类似擦除扇区但是仍保留前16K数据的效果。需要特别注意的是：在擦除扇区或写入扇区数据的时候，不能执行任何内部FLASH上面的代码！所有相关的代码必须存放到外部QSPI FLASH。体现到本例程就是：stmflash.c的代码，都应该存放到外部QSPI FLASH，而不能存放到H750内部FLASH。

第2点和第3点则是由于STM32H7的FLASH特性，每次写入必须是256位宽，也就是32字节，因此写入首地址必须是32字节的倍数，且写入数据长度必须是32字节的倍数。

另外，在STMFLASH_Write8Word函数里面，有一个__DSB函数，该函数用于屏蔽数据同步，该函数在cmsis_armcc.h里面定义，这里在执行等待操作完成之前，必须调用该函数，否则将无法往FLASH写入数据。

由于我们使用了分散加载（qspi_code.scf），stmflash.c编译后是自动存放到外部QSPI FLASH的，所以不需要做额外的设置。关于分散加载说明，详见：8.2小节。

2. main.c代码

在main.c里面编写如下代码：

/* 要写入到STM32 FLASH的字符串数组 */
const uint8_t g_text_buf[] = {"STM32 FLASH TEST"};

#define TEXT_LENTH sizeof(g_text_buf) /* 数组长度 */

/*SIZE表示字长(4字节), 大小必须是4的整数倍, 如果不是的话, 强制对齐到4的整数倍 */
#define SIZE TEXT_LENTH / 4 + ((TEXT_LENTH % 4) ? 1 : 0)

/* 设置FLASH 保存地址(必须大于用户代码区地址范围,且为4的倍数) */
#define FLASH_SAVE_ADDR 0X08004000 

int main(void)
{
 uint8_t key = 0;
 uint16_t i = 0;
 uint8_t datatemp[SIZE];

 sys_cache_enable();  /* 打开L1-Cache */
 HAL_Init();  /* 初始化HAL库 */
 sys_stm32_clock_init(240, 2, 2, 4);  /* 设置时钟, 480Mhz */
 delay_init(480);  /* 延时初始化 */
 usart_init(115200);  /* 串口初始化为115200 */
 usmart_dev.init(240);  /* 初始化USMART */
 mpu_memory_protection();  /* 保护相关存储区域 */
 led_init();   /* 初始化LED */
 lcd_init();   /* 初始化LCD */
 key_init();   /* 初始化按键 */

 lcd_show_string(30, 50, 200, 16, 16, "STM32", RED);
 lcd_show_string(30, 70, 200, 16, 16, "FLASH EEPROM TEST", RED);
 lcd_show_string(30, 90, 200, 16, 16, "ATOM@ALIENTEK", RED);
 lcd_show_string(30, 110, 200, 16, 16, "KEY1:Write KEY0:Read", RED);

 while (1)
 {
 key = key_scan(0);

 if (key == KEY1_PRES) /* KEY1按下,写入STM32 FLASH */
 {
 lcd_fill(0, 150, 239, 319, WHITE); /* 清除半屏 */
 lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Write FLASH....", RED);
 stmflash_write(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)g_text_buf, SIZE);
/* 提示传送完成 */
 lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "FLASH Write Finished!", RED); 
 }

 if (key == KEY0_PRES) /* KEY0按下,读取字符串并显示 */
 {
 lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Read FLASH.... ", RED);
 stmflash_read(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)datatemp, SIZE);
/* 提示传送完成 */
 lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "The Data Readed Is: ", RED); 
/* 显示读到的字符串 */
 lcd_show_string(30, 170, 200, 16, 16, (char*)datatemp, BLUE); 
 }

 i++;
 delay_ms(10);

 if (i == 20)
 {
 LED0_TOGGLE(); /* 提示系统正在运行 */
 i = 0;
 }
 }
}

主函数代码逻辑比较简单，当检测到按键KEY1按下后往FLASH指定地址开始的连续地址空间写入一段数据，当检测到按键KEY0按下后读取FLASH指定地址开始的连续空间数据。最后，我们将stmflash_read_word和test_write函数加入USMART控制，这样，我们就可以通过串口调试助手，调用STM32H750的FLASH读写函数，方便测试。

42.4 下载验证

将程序下载到开发板后，可以看到LED0不停的闪烁，提示程序已经在运行了。LCD显示的内容如图42.4.1所示：

《MiniPRO H750开发指南》第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

图42.4.1程序运行效果图

通过先按KEY1按键写入数据，然后按KEY0读取数据，得到如图42.4.2所示：

《MiniPRO H750开发指南》第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

图42.4.2操作后的显示效果图

本实验的测试，我们还可以借助USMART，调用：stmflash_read_word和test_write函数进行测试！

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《MiniPRO H750开发指南》第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

第四十二章 FLASH模拟EEPROM实验

42.1 STM32H750 FLASH简介

42.1.1 闪存的读取

42.1.2 闪存的编程和擦除

FLASH配置步骤

42.1.3 FLASH寄存器

42.2 硬件设计

1. 例程功能

2. 硬件资源

42.3 程序设计

42.3.1 FLASH的HAL库驱动

42.3.2 程序流程图

42.3.3 程序解析

1. STMFLASH驱动代码

2. main.c代码

42.4 下载验证

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42.2 硬件设计​

1. 例程功能​

2. 硬件资源​

42.3 程序设计​

42.3.1 FLASH的HAL库驱动​

42.3.2 程序流程图​

42.3.3 程序解析​

1. STMFLASH驱动代码​

2. main.c代码​

42.4 下载验证​

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42.3.2 程序流程图

42.3.3 程序解析

1. STMFLASH驱动代码

2. main.c代码

42.4 下载验证