https://news.mydrivers.com/1/641/641087.htm 中芯正在发力。。 今年秋天 14nm两场 明年底 7nm问世 后年 生产 比台积电 的差距越来越小了。 现在是逆周期 持续投入会有好处的。
上周末国内最大的晶圆代工厂中芯国际发表了Q2季度财报，当季营收7.91亿美元，环比增长18.2%，同比减少11.2%；毛利为1.51亿美元，环比增长23.8%，同比减少30.6%；公司拥有人应占利润为1853.9万美元，环比增长51.1%，同比减少64.1%。
在全球半导体市场进入熊市周期，而且中芯国际缺乏先进工艺的情况下，Q2季度取得环比大幅增长已属不易，而中芯国际未来最重要的任务除了改善盈利之外就是突破先进半导*造工艺，目前已量产的28nm工艺相比台积电、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也没优势。
在先进工艺上，中芯国际的策略就是28nm工艺不会再扩产了，但是会从28nm Bulk工艺升级到更有优势的28nm HKC+工艺，主要用于API、IoT、机顶盒、IPTV等产品中。
下一个重要节点是14nm及改进型工艺12nm，中芯国际表示14nm已经进入客户风险量产阶段，目前流片数量10多个，今年秋季会正式量产，年底贡献有意义的营收，不过大规模量产还要到2021年。
14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺，根据中芯国际之前介绍，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。
目前12nm工艺已经进入了客户导入阶段，进展顺利，预计年底会有多个芯片流片验证。
14/12nm工艺是中芯国际第一代FinFET工艺，第一阶段中其产能会从3K晶圆/月逐步提升到6K、9K、15K/月，超过15K/月之后产能就不少了。
14/12nm工艺会是国内最先进的工艺，但是与台积电三星相比依然要落后至少两代，中芯国际还会有N+1第二代FinFET工艺追赶先进水平。虽然中芯国际一直没有确认第二代FinFET工艺会是10nm还是直接进入7nm，但从之前订购ASML的EUV光刻机来看，中芯国际应该会跳过10nm节点，毕竟10nm节点本来也是低功耗方向的，而7nm节点才是长期存在的高性能低功耗节点，意义更加重大。
N+1 FinFET节点会是中芯国际的第二阶段，预计2020年底会有试验产能，不仅是有N+1，还会有更先进一代的N+2节点。
总之，如果进展顺利的话，那么2020年底国内可能会有7nm工艺风险试产，这时候依然是追赶台积电三星的水平，但差距会缩短到一代左右。
实际上，在拥有了14nm、7nm生产能力之后，国内的芯片公司就能大幅减少被卡脖子的可能了，特别是国产的龙芯、兆芯之类的处理器，这个时间节点就在2020年底了。