Uboot 内存初始化（2440）

内存分类，DRAM：需要定期充电（刷新），否则数据会丢失，存取速度慢。SRAM：具有静止存储功能的内存，不需要定期刷新操作就能保存它内部存储的数据，存取速度快，CPU内部的steppingstone部分使用，但是成本高，开发板很少使用。板载内存一般使用DRAM，DRAM又分为SDRAM，DDR，DDR2。

SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory)：同步动态随机存储器。同步：内存工作需要同步时钟，内部命令的发送和传输都以该时钟为准，仅仅在时钟脉冲的上升沿传输数据。动态：DRAM需要充电刷新保证数据不丢失。随机：数据不是线性依次存储，而是可以任意指定数据读写，2440开发板使用的内存通常都是SDRAM。

DDR（Double Data Rate SDRAM），双倍速率同步动态随机存储器：在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据，在相同的工作频率下，DDR的传输速率是SDRAM两倍，DDR2在DDR的基础上再次进行改进，使得数据传输速率在DDR的基础上再次翻倍。6410开发板通常使用DDR内存，210通常使用DDR2内存。

内存的内部结构：表结构：内存的内部如同表格，数据就存放在每个单元格中，数据读写时，先提供行号，再提供列号，就可准确找到单元格，这张表格称为Logical Bank（L-Bank），行号为行地址，列号为列地址。

Uboot 内存初始化（2440）

一块内存要包含多个L-Bank，现在内存内部基本都会分割成4个L-Bank。寻址信息：L-bank选择信号，行地址，列地址。内存芯片容量计算公式：

4*L-bank容量=4*（单元格数目*每个容量）

2440内存初始化

2440地址空间：

分析s3c2440芯片地址线，A0~A27共有27根地址线，能够访问128MB个外设空间，S3c2440又提供8个片选信号nGCS0~nGCS7，对外访问能力扩大到128MB*8，

左边是norflash启动，右边是nandflash启动，当选择nandflash启动时，片选0区域为4K的SRAM stepping stone，图上表明了每个片选的起始地址。内存芯片一般都在片选6和片选7，内存起始地址0x30000000。在处理器访问设备时只会给出地址，CPU通过存储控制器设备分解地址成内存需要的片选信号、行地址和列地址，进行相应的处理访问内存，编写内存初始化代码就是初始化存储控制器，然后才能访问内存芯片。

内存芯片和开发板的硬件连接：

使用的内存芯片规格：4M*4Bank*16bit，给芯片一个地址读出的数据是16位，d0~d15,2440芯片数据线32位，DATA0~DATA31，假如将内存芯片和2440连接，还要空出16位数据线，为了避免浪费，采用两个芯片并联，高16位接第一个内存芯片，低16位接第二个，当CPU发出地址，能够第一，二个芯片读两个16位数据共计32位，2440采用俩个32M并联的方式构成一个64M内存容量。

存储控制器：

控制对外设的访问比如网卡、SDRAM内存、norflash.......，都是透过存储控制器完成，需要对它配置初始化，告诉以什么样的工作方式工作，通过寄存器设置。

1. BWSCON：32位寄存器被分成8个组，用来设置8个Bank总线宽度和等待状态，利用每4个位控制一个Bank。0x220000000

2. 一组寄存器Bank Control Register（0~5），由于内存在Bank（6,7），所以这些默认。

3. Bank Control Register(6，7)设置为0x00018001。

4. REFRESH：定期刷新0x008c04f5。

5. BANKSIZEREDISTER：bank突发模式(访问内存一次性使用批量数据，提高内存访问效率)大小，0x000000b1。

6.MPSR：bank6，bank7的模式寄存器，0x00000030

bl init_sdram

#define mem_contrl 0x40000000

init_sdram：

ldr r0,=mem_contrl

add r3 , r0 ,#4*13

adrl r1,mem_data

ldr r2, [r1] ,#4

str r2, [r0] ,#4

cmp r0, r3

bne 0b
mov pc, lr

mem_data：

.long 0x22000000

.long 0x00000700

.long 0x00018001

.long 0x008c04f5

.long 0x000000b1

.long 0x00000030

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