ARM处理器启动流程
s3c2440支持启动方式：1：norflash启动，一般2MB，2：nandflash启动，通常256MB，内核重要的文件系统都放入nandflash中，开发板从nandflash开始启动， nandflash地址布局
左边为当选择norflash启动时地址的布局，右边为当选择nandflash启动时地址的布局，当处理器上电时会从0地址处取第一条指令开始运行，如果从norflash启动0地址处安排norflash，代码放在norflash最前端。Nandflash启动时不能像内存直接访问，必须要通过相应的寄存器不能通过ARM处理器的统一编址，0地址处为BootSRAM片内ram大小4KB，
BootSRAM也称stepping stone，CPU上电后第一条指令从steppingstone获取，CPU会把nandflash最前端的4K复制到stepping stone，CPU间接运行nandflash前4K，但是bootload不止4K，那么剩下的就要依靠steppingstone复制到内存，4K运行完后跳转到内存继续运行。
S3c2440 P213
为了支持nandflash启动，s3c2440装备一个interna SRAM buffer叫做stepping stone，在nandflash最前端4K数据将会被加载到steppingstone，然后运行steppingstone的4K代码，这4K有个重要工作就是把剩余代码就会被复制到SDRAM内存，当这4K运行完后就跳转到内存中接着运行剩下的bootload。
S3c6410
从表中可以看到6410启动方式，SROM，ONELAND，MODEM，IROM(internal ROM)(包括nandflash，SD卡)，通过设置引脚设置启动方式。
地址布局：0地址由XOM决定的设备启动区域，注释Mirrored region(镜像区域)用来映射。
如果选择IROM会把IROM映射到镜像区域，一上电就运行IROM，所以根据不同启动方式选择，然后镜像区域映射到不同设备。接下来分析如果从nandflash启动，启动流程：
打开：S3C6410_Internal_ROM_Booting手册
nandflash启动是IROM一种，当上电之后IROM被映射到0地址，CPU先从IROM取第一条指令， IROM里是芯片厂商固化好的软件通常为BL0(bootload0)，它除了硬件初始化以外还会把我们放在nandflash里最前面的8K的bootload1(BL1)拷贝到stepping stone，BL1在stepping stone里运行，BL1就把nandflash剩余的bootload拷贝到SDRAM运行，完成整个bootload运行，对比：2440CPU直接把数据拷贝stepping stone(4K)到上电后运行stepping stone里(4K)数据，而6410会运行固定的irom代码，把用户编好的bootload复制到stepping stone运行。如果由剩余的复制到SDRAM继续运行。
210(cortex--A8)启动流程
S5PV210_UM_REV1.1用户手册
210启动模式：支持IROM，UART
210处理器地址映射表，IROM大小64KB，0xD002开始的地方为垫脚石，0地址处boot area
注释mirrored region depend on the boot mode。
S5PV210_iROM_ApplicationNote_Preliminary文档
上电后，IROM被映射到0地址处，CPU会从IROM取第一条指令，IROM固化软件(BL0)由芯片厂商提供，做一些硬件初始化，会把BL1拷贝到Internal SRAM中作为stepping stone(96K)，由于stepping stone增大，就把bootload剩余部分拷贝到stepping stone，如果stepping stone还存不下bootload，这时考虑往内存中拷贝，210规定BL1大小16KB，BL2最大80KB，如果BL2超过80KB，BL1就把BL2复制到内存，完成bootload拷贝后，BL2就在IRAM或SDRAM运行。