一、编写目的
在移植Bootstrap V1.9至9260核心板时，出现NAND FLASH无法正确读取数据(可以读取ID)的情况。由于之前一直没有系统地学习NAND FLASH驱动，因此分析问题也比较慢，所以把Bootstrap V1.9移植工作暂时停止，先来学习NAND FLASH驱动部分再继续移植工作。
本文档用户记录NAND FLASH驱动分析的过程。本文档中使用的NAND为K9F1208U0C，为9260核心板上使用的64MB NAND。使用的源码为Bootstrap V1.9。
二、NAND FLASH（K9F1208U0C）
1. 引脚说明
| 标号 |
功能 |
说明 |
| N.C |
空引脚 |
不连接线路 |
| I/O 0~7 |
传输总线 |
此款IC为8位数据/地址/命令总线 |
| CLE |
命令锁存使能 |
输入高电平时，命令码通过总线传输至于命令寄存器 |
| ALE |
地址锁存使能 |
输入高电平时，地址通过总线传输至地址寄存器 |
| CE(----------) |
芯片使能 |
当IC处于繁忙时，此引脚无效 |
| RE(----------) |
读使能 |
当需要通过总线往IC中读数据（包括地址）时，此引脚置低 |
| WE(----------) |
写使能 |
当需要通过总线往IC中写数据（包括地址）时，此引脚置低 |
| WP(----------) |
写保护 |
该引脚置低时，无法对IC进行擦写操作 |
| R/B(----) |
状态输出 |
就绪/忙标志位，输出低电平时，表示IC正在进行擦写操作 |
2. memory组织方式
由上图可知，此NAND将整个存储器分为4096个Block，每个Block有32个Pages(也有称为Sector)，总共有4096*32=131072=128K个Page。
每个Page中有528 B存储单元，其中512 B为存储数据使用，另外16 B为OOB备用区域，一般用于存入检验码信息。
上图最下一部分显示一Page的读写通过两个半页寄存器定位。因此要读一页数据，需要执行两次操作，分别为读取前、后半页。操作NAND Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读写数据。
3. 地址传输
NAND的读写的最小单位为Page，此款NAND为64 MB，因此地址长度最大为17 BIT。此IC地址传输分为4个周期，如下图所示。先传输的为列地址（半页内地址0~256），此IC固定为0x00；再传输三字节页地址，低地址在前。通过命令00H、01H区别读取前半页或后半页，即地址A8位。
4. 命令
此IC的命令集如下图所示。00H读取前半页，01H读取后半页，50H为读取备用区域。
5. 模式控制
通过设置各个使能引脚可使IC处于不同的工作模式。
6. 操作时间限制
这部分内容参考DATASHEET中，需要根据这些内容设置CPU的NAND控制器的参数。
三、Bootstrap驱动分析
1. CPU引脚设置
2. CPU NAND控制器设置
3. 读取NAND ID
执行流程为：
Ø [命令模式]传输90H命令
Ø [地址模式]传输00H地址
Ø [读取模式]传输4个ID值
相关的代码片段如下图所示，与DATASHEET中描述的一致，但代码中只读取了前面两个数据。
4. 读取一页数据
执行流程为：
Ø [命令模式]传输00H命令，读取前半页数据
Ø [地址模式]传输页地址
Ø [读取模式]传输4个ID值
Ø [状态模式]等待就绪
Ø [数据模式]传输前半页数据
Ø [命令模式]传输01H命令，读取后半页数据
Ø [地址模式]传输页地址
Ø [状态模式]等待就绪
Ø [数据模式]传输后半页数据
相关的代码片段如下图所示，与DATASHEET中描述的一致。但代码中等待就绪是使用了两个判断才能正常通过，编写者在注释中也使用了”?”来提出疑问。
5. 读取备用区域数据
6. 连续读取页
7. 连续读取备用区域
8. 页编程
9. 块删除
10. 写保护
