[求助]做ARM开发如何修改程序代码在片内Flash的地址？

大家好！

本人最近在用 LPC2138 做开发，需要用它的片内 Flash 存储一些数据，目前在线读写的问题已经基本解决了。

在默认的情况下，程序的代码是从Flash的基址开始的，我想请教一下时候有办法改变程序代码的在Flash中的起始地址？

先谢谢各位了！

6 个解决方案

#1

烧录文件为BIN文件：
我一般是通过：烧录代码时，修改代码在FLASH当中相对地址来解决的。
比如：你的FLASH基址为0；在你用烧录软件加载.bin文件时，一般都会弹出一个对话框，问你代码烧录FLASH的相对位置，此时，你便可以指定你的烧录地址了。

烧录文件为HEX文件：
由于HEX文件包含了地址信息，你要编译的时候，通过编译器指定代码烧写的相对位置即可。

#2

引用 1 楼 dian_technology 的回复:

烧录文件为BIN文件：
我一般是通过：烧录代码时，修改代码在FLASH当中相对地址来解决的。
比如：你的FLASH基址为0；在你用烧录软件加载.bin文件时，一般都会弹出一个对话框，问你代码烧录FLASH的相对位置，此时，你便可以指定你的烧录地址了。

烧录文件为HEX文件：
由于HEX文件包含了地址信息，你要编译的时候，通过编译器指定代码烧写的相对位置即可。

可否说得详细一些，HEX文件的话要如何通过编译器指定位置呢？

#3

引用 1 楼 dian_technology 的回复:

烧录文件为BIN文件：
我一般是通过：烧录代码时，修改代码在FLASH当中相对地址来解决的。
比如：你的FLASH基址为0；在你用烧录软件加载.bin文件时，一般都会弹出一个对话框，问你代码烧录FLASH的相对位置，此时，你便可以指定你的烧录地址了。

烧录文件为HEX文件：
由于HEX文件包含了地址信息，你要编译的时候，通过编译器指定代码烧写的相对位置即可。

bin文件的话我试过指定其他的地址，但是这样子程序就不能执行了。
PS：烧写程序我用的是 H-JTAG

#4

引用 3 楼 it_mac 的回复:

引用 1 楼 dian_technology 的回复:
烧录文件为BIN文件：
我一般是通过：烧录代码时，修改代码在FLASH当中相对地址来解决的。
比如：你的FLASH基址为0；在你用烧录软件加载.bin文件时，一般都会弹出一个对话框，问你代码烧录FLASH的相对位置，此时，你便可以指定你的烧录地址了。

烧录文件为HEX文件：
由于HEX文件包含了地址信息，你要编译的时候，通过编译……

子程序不能运行的原因是：编译器在编译代码段时，是以你编译器指定的基地址（base address）为基线，进行分配子函数地址的。假设你原编译器设定你编译器的基地址为0，生成代码后，子程序APP1的地址为：0X000020000；现在你把该BIN文件烧到0X000010000区，你代码中的子程序APP1的地址依然会是0X000020000，而实际上你子程序APP1的存储位置已经变为：0X000020000+0X000010000了。
故而子程序不能运行。

#5

引用 2 楼 it_mac 的回复:

引用 1 楼 dian_technology 的回复:
烧录文件为BIN文件：
我一般是通过：烧录代码时，修改代码在FLASH当中相对地址来解决的。
比如：你的FLASH基址为0；在你用烧录软件加载.bin文件时，一般都会弹出一个对话框，问你代码烧录FLASH的相对位置，此时，你便可以指定你的烧录地址了。

烧录文件为HEX文件：
由于HEX文件包含了地址信息，你要编译的时候，通过编译……

编译器一般都会有一个BASE ADDRESS选项的设置，比如：KEIL 的Target标签页下的Read/Only Memory Areas；ADS 的ARM Linker选项下的Output标签页下的RO Base。或者通过分散加载方式定义编译后代码段的相对存储地址。
若还有什么问题，你可以加我的QQ：1564629520

#6

该回复于2012-04-20 08:23:58被版主删除