各种非易失性存储设备
ROM/PROM/EPROM/EEPROM
在NOR/NAND flash出现之前，主要的非易失性存储设备是EPROM和EEPROM。
ROM(Read-Onl,y Memory):只读存储器，其特点是在制造过程中将资料以一特定光罩(mask)烧录于线路中，即存储器中的内容出厂即写好了。
PROM(Programmable Read-Only Memory):一次性可编程只读存储器，数据写入永久保存，特点是可以让用户写一次，也只允许写一次，无法重新写入，如果数据写入错误，只能更换存储器了。
EPROM(ErasableProgrammable Read-Only Memory): 可擦写可编程只读存储器，编程完成后，可以用强紫外线照射来擦除。 EPROM一般都有个硅胶片封装的透明窗口，用来进行紫外线擦除的，一般对准太阳光直射一段时间就可以擦除数据了，如图：
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：电可擦可编程只读存储器，信息可以通过高于普通电压的电压来擦除，可重新编程，故其使用寿命是一个很重要的设计参数。
在计算机发展初期，BIOS都是存放在ROM中的，其内部资料是在ROM的制造工序中烧录进去的，一旦烧录完成，用户只能验证资料是否正确，不能做任何修改。如果发现资料有错误，只能重新做一个，由于成本高，一般只用在大批量生产的场合。
后来人们发明了PROM,就是说从工厂中完成的PROM没有内部资料，用户可以编程一次（那会有的类似熔断的方式，物理性破坏了），其成本比ROM高，而且写入速度比ROM要慢，一般用于少量需求，或ROM量产前的验证。
EPROM的出现解决了PROM只能写一次的弊端，但是这货需要光擦，且写入资料后需要贴住窗口，防止紫外线照射。
由于EPROM操作不便，再后来主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM，EEPROM不需要借助其他设备，以电信号来修改其内容。EEPROM属于双电压芯片，在跳线到on的位置可写，off的位置不可写。可以防止类似CIH这样的对BIOS进行修改的病毒，至今仍有不少主板采用EEPROM为BIOS芯片的程序存储芯片。
从奔腾时代开始，现代的电脑主板都是用NORFlash来作为BIOS的存储芯片，对比EEPROM，NORFlash的优势在于，容量大，速度快，且无需硬件支持，软件即可重写(EEPROM需要硬件电路支持重写）。
NOR FLASH/NAND FLASH
NOR Flash是Intel公司于1988首先开发出的技术，彻底改变了原先由EPROM / EEPROM一统天下的局面，紧接着1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每bit的成本，更高的性能，像磁盘一样可以通过接口轻松升级等。
NOP Flash的特点是片内执行(XIP,Execute In Place，这也是linux内核的一个可选项之一)，这样应用程序可以直接运行在Flash闪存内，不必把代码读到系统RAM中，NOR的传输效率很高，在1-4MB的小容量时具有很高的成本效益，但很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。而NAND提供极高的单元密度，写入擦除也很快。NAND需要驱动的支持，而NOR Flash是可以直接连接到cpu管脚上进行访问的，通常读取NOR的速度比NAND快一些，但NAND的写入速度比NOR快很多。
这里需要注意到一点，就是NOR Flash可以XIP，也就是说可以片上执行，而NAND Flash不可以片上执行，所以系统启动代码可以放在NOR Flash上，所谓的片上执行，实际上是指，cpu是否可以直接从读取到指令，进行译码并执行，由于NAND Flash用I/O口来串行存取数据，8个引脚用来传送控制，地址和数据信息，所以需要需要控制电路，cpu无法通过直接的发送一个地址，NAND Flash返回一个数据的方式获取指令，而NOR Flash是可以直接连接到cpu的地址总线上使用的，cpu发送一个地址，NOR Flash就可以返回一个数据，所以NOR Flash叫做可以片上执行的，而NAND Flash是不可以片上执行的。实际上如果在cpu上增加NAND Flash的硬件控制电路，也是可以实现XIP片上执行的，但NAND相对于NOR来说bit翻转的几率要高，一般需要EDC/ECC校验，在执行时同时要保证数据校验，所以不太适合作为片上执行的区域。
总结：
1. NOR Flash可以直接连接到cpu地址总线上当只读内存使用，而NAND Flash的访问需要额外的控制电路，故NOR Flash一般可用作XIP片上执行，而NAND Flash不可以。
2. NAND存储密度大，便宜，写速度比NOR高很多，而NOR Flash存储密度小，贵，写速度慢，所以一般数据存储常用NAND Flash。
3. 前面提到的ROM/PROM/EPROM/EEPROM/NOR Flash/NAND Flash,说到底都是属于ROM的一种。
嵌入式设备中的应用
- Flash属于非易失性存储设备，而常用的内存，无论是SDRAM/DDR SDRAM/DDR2/DDR3等，都是断电后数据就没了。
- FLASH内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门，是真正的数据存储单元，在FLASH之前，EPROM就已经用到了悬浮门存储数据技术了。
- 在FLASH中的数据，是以是否超过一个电压阀值来判断是0还是1的。
- 在嵌入式设备中，一个常见的组合就是:用小容量的NOR Flash存储启动代码，如uboot，然后用大容量的NandFlash存储整个系统和用户数据。而一般嵌入式平台的启动流程就是：系统从NOR Flash启动后，初始化硬件，包括SDRAM等(uboot阶段)，然后将Nand Flash上的Linux内核读取到内存中，然后跳转到SDRAM中区执行内核(解压到内存中的一般是zImage)，在linux内核启动的最后，去Nand Flash上，挂在根文件，比如jffs2/yaffs2等系统，挂载完成后，运行初始化脚本，启动console交互，允许与内核交互。
- Nand Flash根据内部每个数据单元存储一个数据还是多个数据分为SLC/MLS，前者就是每个数据单元存1bit，后者就是多bit，其原理就是将电平分等级。
嵌入式设备中常用的文件系统
一般嵌入式系统会使用NAND Flash来存储文件，启动代码或数据文件等，这就需要像管理文件系统一样管理NAND Flash，包括格式化，碎片手机，磁盘整理等。目前比较广泛使用在嵌入式中的系统包括: fat，jffs2，yaffs2，ext4等等。
- Yaffs文件系统(Yet Another Flash File System)
Yaffs文件系统是一个开源的专为NAND Flash设计的文件系统，对小页面支持很好。 - 存储设备的驱动:
嵌入式设备中，如果直接用了NAND，则应该会用到kernel/driver/mtd/nand下面的代码，如果用的是emmc，则应该会用到mmc_host下面的代码。
soc(System-on-a-Chip):
一般来说，soc成为系统级芯片/片上系统，其实际上也是一个芯片(就是黑黑的一小块），比如联科发的MT6582就是一个soc芯片，其外形如图: 
一般来说，soc芯片中含有:
1. cpu，时钟电路，定时器，中断控制器，串并行接口，IO端口
2. 存储器(易失/非易失),以及cache等。
还是以MT6582为例，此芯片中包括：
1. 四核的ARM@Cortex-A7 mpcoretm处理器。
2. 多标准视频加速器。
3. NAND接口。
4. 支持启动SLC NAND /eMMC(这个芯片本身应该不包含存储芯片，这里的支持指的是，如果是eMMC或NAND，会硬件将数据复制到RAM，然后执行)
5. 外接存储器接口
6. 还有各种算法相关功能，如汽车传感器的缺陷像素矫正，连续的视频自动对焦，人脸检测等等
DSP(Digital signal processing)
DSP是专做数字信号处理的芯片，运行速度快，具有专门的硬件乘法器，可以用来快速的实现各种数字信号处理算法, 指的应该是那块计算芯片，dsp厂商如mtk，指的是其是制造cpu的厂商，而soc指的是cpu加上各种东西封装成一个芯片,如mt6582。
MCP(Multi-Chip-Package)
多制层封装芯片，就是将多个芯片封装起来，如将两种芯片封装起来，一种是基于NOR闪存的MCP，可以完成XIP(片上执行）功能。另一种是NAND与DRAM结合，可以执行存储下载等。
eMcp是将eMMC + LPDDR2 DRAM封装起来，一般来说一个eMcp中有1个eMMC控制芯片+多个NAND Flash + 多个LPDDR2。
高通MSM8x25,MSM8x60,联发科MT6577,MT6589,MT6572等支持的都是eMCP形式；
PoP(package-on-package)
封装提叠层技术：将具有相同外形的多种芯片再次集成，组成多层。
高通的MSM8960,MSM8x60A,MSM8x30等支持的都是PoP的封装形式。
MMC卡：
MMC卡(Multimedia Card，多媒体卡)，是一种快闪存储卡标准
，在1997年由西门子和SanDisk共同开发，基于东芝的NAND快闪记忆技术，因此比早期基于NOR快闪记忆技术的记忆卡(如CF卡)更小。1998年14加公司联合成立了MMC协会，目前已有超过84个成员。MMC也是将存储单元和控制单元做到了一个卡上，智能的控制器使得MMC保证兼容性和灵活性。MMC存储卡可分为MMC/SPI两种工作模式：
- MMC模式：是标准的默认模式，具有MMC的全部特性。
- SPI模式：这个模式是MMC协议的一个子集，主要用于只需要小数量的卡(1个）和低数据传输率的系统，这个模式花费最小，但性能就不如MMC了。
MMC卡的尺寸:
1. 24mm x 32mm x 1.5mm （正常尺寸，一张邮票差不多)
2. 24 mm × 18 mm × 1.4（小尺寸的多媒体卡或者RS-MMC）
MMC卡共有7针。
SD卡
SD卡(Secure Digital Memory Card, 安全数码卡)是一种基于半导体闪存工艺的存储卡，1999年由日本松下主导，2000年这几家公司发起成立了SD协会(Secure Digital Association 简称SDA)，他比MMC卡多了一个进行数据著作权保护的暗号认证功能，写速度比MMC卡快4倍，达到2M/s。
- SD卡是基于MMC格式发展而来的，大小与MMC卡差不多，厚了0.7mm以容纳更大容量的存储单元。
- SD卡与MMC卡保持向上兼容，即MMC卡可以被新的SD设备存取，但SD卡不可被MMC设备存取。
- SD卡在MMC7针基础上多加了2针，作为数据线。
- 尺寸: 32mm x 24mm x 2.1mm
SD卡共有9针。
miniSD卡
miniSD卡尽管外心和接口形状与SD卡不同，但其接口等电器标准与SD卡是相同的，将其插入专用适配器，可以通过原来SD卡卡遭读写mini-SD卡。不过 mini-SD卡不具备防写入锁定功能。mini-SD卡11针，比SD卡的9针还多两个针，多出来是为未来扩展用的。
- 尺寸：21.5×20x1.4mm
mini-SD卡共有11针。
Micro SD Card
Micro SD Card 原名Trans-flash Card（TF卡），由SanDisk公司发明，2004年正式更名为Micro SD Card。TF卡与标准SD卡功能也是兼容的，将TF卡插入特定的转接卡中，可以当作标准SD卡或Mini SD卡来使用
- 尺寸:15.0×11.0×1.0 mm
Micro SD卡共有8个引脚。
带HC的卡
如SDHC、microSDHC，都是与其响应标准兼容的，只不过这种卡的存储空间更大。现在市面上买到的上GB的卡，大多都是带HC的。不带HC的一般都是按MB算的。
存储卡的分类
emmc
eMMC（Embedded Multi Media Card）也是一种使用兼容MMC协议的芯片，和MMC的区别如其名，eMMC经常被用于嵌入式环境中，而MMC一般用作外接设备的标准。eMMC = NAND flash + 控制器 + 标准封装接口。
上面提到的多种卡，其内部的存储设备基本上用的都是NAND flash， nand flash和上面这些卡的区别，就是nand flash是上面这些卡内部真正的存储单元。
emmc的特点：
1. 有四种尺寸：BGA153-11.5x13, BGA169-12x16, 12x18, 14x18
一般长相如图: 
2. eMMC内部可以很好对MLC/TLC进行管理，有ECC除错机制，区块管理，平均默写存储区块技术，低功耗管理等。
3. 厂商不必再为NAND Flash的大小/规格重新设计硬件了，直接用eMMC就好了。
在以前，每次NAND技术换代的时候，手机客户端也要重新设计，手机制造商需要选择新的与NAND flash匹配的soc芯片，而soc厂商一般要针对这款NAND flash，重新设计soc芯片（主要是内部的nand flash ccontroller)，这种方式十分麻烦。
在推出emmc后，soc厂商只需要在芯片上加上一个可以与mmc标准通信的控制器（一般叫做sdmmc controller/sd controller)，这个控制器可以支持某种/某几种emmc标准。同时emmc芯片封装好NAND flash，向外也提供一个统一的emmc 接口(如emmc 4.3/4.4)，此时只要给soc芯片选定好一个emmc接口，连上二者即可通信了。
字库
功能机时代，很多手机程序，控制信息，字库信息是存储在一个专用芯片里面的，芯片中的主要部分是字库，所以一些售后和维修人员就习惯把这个存储芯片称作字库芯片，如今的字库芯片主要是手机上的那块eMMC芯片。
字库分为：
1. 原装专用字库: 如三星手机中，原厂生产针对相应型号专门使用的芯片。
2. 原装代用字库：同样是三星生产，在原装字库短缺情况下，代替原装字库的芯片，由于不是专门适配某型号机器的，所以在体积上，与原装字库存在差异(不过应该都是eMMC标准规格芯片4种种的一种)
3. 其他品牌字库：可以替代的其他品牌的字库。
一些字库外观是一样的，但上面写着用于某款手机，这样的字库实际上用的是同一个eMMC规格，只是中间的内部程序不一样，如果重写了eMMC内容，应该就可以换着使用了。
手机的串号是存在字库中的，妹的，所谓的串号不过是eMMC中的一个数字罢了。
传统的字库：
字符显示的时候，字符信息处理系统需要配有一个字符字模库，这个库是存储了字符的点阵信息，然后显示的时候根据一个编码，去字模库中找点阵图，然后才能显示出来。原始的字库，应该是存储字模和编码对应信息用的。
易失性存储设备(见[5]）
SRAM和DRAM
RAM(Random Access Memory)易挥发性随机存取存储器，随机存储指的是，不论从什么位置读写，其存取时间是相等的(以前的磁带是不相等的)，易挥发性指的是断电后数据会消失。
RAM又可分为SRAM和DRAM，二者基本原理都是用来存储电荷的。二者的不同点在于:
- SRAM(Static Random Access Memory)的结构较复杂，单位面积存储量少，存取速度快，一般用作高速缓存，上电时不需要刷新电路来保存内部的数据。SRAM采用触发器(flip-flop)构造存储，其存储单元结构如下图: 
- DRAM(Dynamic Random Access Memory)构造简单，单位面积存储电荷多，存储时间较SRAM慢，同时由于结构简单导致DRAM的电荷会随时间渐渐消失，因此需要有个在充电(Refresh)的动作保持电容存储的资料。DRAM采用电容结构存储，其存储单元结构如下图： 
DRAM结构简介
DRAM由于制造简单，高密度，适合作为主存。但由于内存是放在cpu之外的，从工厂出来的晶粒需要封装和组合后，才可以和CPU连接，因此从cpu到DRAM晶粒之间依据层级由大到小为channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column。其层级见的关系见下图: 
1. channel: 一个channel一般指的是一对内存条，电脑上一般内存条的插口都是成对的，貌似是一对插口应该差同样的内存条，这一对插口就对应一个channel。
2. DIMM: 一个DIMM(Dual in-line Memory Module)就是我们市面上卖到的一个内存条。
3. rank: 内存条上面的那一排芯片，就叫一个rank，一个rank上的所有chip连接到同一个CS(chip select)。
4. chip: 内存条上面的一个黑色的封装芯片，就是一个chip。 
5. bank: chip以上是物理上可见的，chip以下就是芯片内不可见的了，一个chip分好多个bank。 
6. 每个bank又是各种行列的的组合，其中的每个小方块，都是一个存储单元。每一列（绿色）的下面都有一个红色的存储单元叫row buffer,是用来缓存从当前列中读出的某个数据的，读取以行为单位。
参考资料：
[1]. http://www.crifan.com/comparison_of_nand_and_nor/
[2]. http://baike.baidu.com/link?
[3]. http://blog.chinaunix.net/uid-26404697-id-3152290.htmlurl=uVQtIvttHl5OD1VUj2T6lEFqh_Dv_cO1OPzBkULH2vVErlKBfzISYJuQ2ftTffFArg6xFTLkNXY311pb_m9M6a
[4]. http://baike.baidu.com/link?url=wqYXPUhnB8WT-5BUX0mxUROQrx_qwAeP8qqq5trevVP-wNQhTh7GyvumaagI1Wk-iTb8zXmUVb_Th1pZXWpvFa
[5]. http://www.techbang.com/posts/18381-from-the-channel-to-address-computer-main-memory-structures-to-understand