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文件名称：GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制 (2007年)
文件大小：247KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-31 03:30:47
自然科学 论文
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜，并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量．利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器，并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析．结果表明，探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍；探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值，并在364 nm附近出现截止，即具备可见盲特性；器件的光响应度最好达0.21 A/W．