锁存器
常说的锁存器其实就是电平触发的触发器
触发器
常说的触发器是边沿触发器
寄存器
寄存器是能够存储一组二值代码的电路结构，因为触发器只能怪存储一位二值代码，所以N个触发器（锁存器）组成的寄存器可以存储N位的二值代码。
所以N位寄存器 = N个 触发器（锁存器）构成的电路
一、半导体存储器
半导体存储器因为存储单元数量庞大，所以不能像寄存器那样把所有的输入输出引出，为了解决这个矛盾，在存储器中，给每个单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的存储单元才能与公用的输入引脚接通，进行数据的读写。
半导体存储器种类很多，从功能上可以分为随机存储器（Random-Access Memory，RAM）和只读存储器（Read-Only Memory，ROM）
1、随机存储器（RAM）
随机存储器在正常工作时，可以向里面写入、修改和读出数据。
根据工作原理不同，随机存储器又分为两种：静态随机存储器（SRAM） 和 动态随机存储器（DRAM）
静态随机存储器（SRAM）
静态随机存储器（SRAM）在工作时，只需要通电，数据就不会丢失。
SRAM通常由存储阵列、地址译码器和读/写控制电路（输入/输出电路）三部分组成
存储阵列，由多个存储单元组成。
地址译码器，分为行地址译码器和列地址译码器。其中行地址译码器用于选通某一行的数据，而列地址译码器用于选通某一列的数据，这样就可以确定具体某个数据了。
读/写控制电路，用于选择时从存储器读取数据还是写入数据。从输入信号 R/W’ 可以看出，当输入高电平 R/W’ = 1，代表读取数据,；当输入低电平 R/W’ = 0，代表写入数据。
还有一个片选信号CS’，当CS’ = 0时，RAM为正常工作状态；当CS’ = 1时，RAM所有输入输出端均为高阻态。
动态随机存储器（DRAM）
动态存储器因为电路简单，所以在大容量、高集成度的RAM中使用很多，比如说常用的SDRAM、DDR等。
动态存储器利用MOS电容可以存储电荷的原理支撑的，而MOS电容的容量很小（几pf），而漏电流又不绝对等于0，所以保存电荷的时间有限。为了避免电容的电荷消失，所以需要在电荷消失之前补充电荷，这种方法一般称为刷新。因此，DRAM常常配有刷新电路，虽然这样使得操作复杂化，但是顶不住容量大啊。
刷新时间一般在芯片手册中会有参数，一般会有最小刷新时间，
为了提高集成度的同时减少引脚数量，目前很多大容量的DRAM采用的是1位输入、1位输出、地址分时输入（地址多路复用）的方式
上图为SDRAM的功能框图，其中S是同步的意思，不是静态，核心还是DRAM， SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。 SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。
我们在看SDRAM芯片参数时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。 刷新命令一次仅对一行有效， 也就是说在64ms内这两种规格的芯片分别需要完成4096次和8192次刷新操作。 因此， L-Bank为4096行时刷新命令的发送间隔为15.625μ s（ 64ms/4096）， 8192行时为7.8125μ s（ 64ms/8192）。
2、只读存储器（ROM）
顾名思义，只读存储器在初始化之后就不允许写入或者修改数据，只能从中读出数据。这种存储器，常用来存储固定的数据，比如说设计DDS的时候，先把波形数据（.mif文件）写入ROM，在从中读出来就可以了；或者是计算机的字库。
ROM的电路结构包括存储阵列、地址译码器、和输出缓冲器三个部分
输出缓冲器的作用有两个：一个是提高存储器带负载能力；另一个是对输出的三态进行控制，以便于系统总线连接。
只读存储器（ROM）大致分为以下几类：
掩模只读存储器（Mask ROM）
该存储器在出厂时就已经对数据进行固化了，不可再进行任何数据修改和写入。常用于大批量、定型的产品中。
可编程只读存储器（PROM）
该存储器在出场时已经对立面所有的存储单元写入了1，用户可以通过编程写入数据，但是因为采用的是熔丝或者反熔丝技术进行编程，一旦熔丝烧断或者反熔丝击穿，就不可以再连接上，所以仅可以编程一次。
可擦除的可编程只读存储器（EPROM）
最开始的可擦除的可编程只读存储器（EPROM）是采用紫外线进行擦除，但是因为这种设计需要给ROM开口或者设计一个透明的石英盖板，方便紫外线照射，然后写完之后，就用不透明胶带将盖板遮蔽，比较麻烦。
用电信号可擦除的可编程只读存储器（EEPROM）
不就就出现了用电信号可擦除的可编程只读存储器（E2PROM）。
新一代用电信号可擦除的可编程只读存储器—快闪存储器（Flash Memory）
简称闪存
