CdTe薄膜的制备和后处理研究 (2002年)

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文件名称：CdTe薄膜的制备和后处理研究 (2002年)

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更新时间：2024-05-15 22:53:24

自然科学 论文

用近空间升华法制备CdTe薄膜．研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构．衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整．结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大，尺寸均匀．对CdTe薄膜进行了加热后处理研究，结果表明，加用CdCl2有助于热处理过程中薄膜晶粒的生长．